[发明专利]一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）测试化合物半导体器件的初始转移特性；

（2）逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；

（3）绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；

（4）判断阈值电压是否随漏极电压的升高而发生变化，若发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构存在缺陷，若未发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构完整。

2.根据权利要求1所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，在步骤（1）中，设漏极电压Vd0在1~100V之间，栅极电压由(Vp-10)V以设定步进扫描至(Vp+10)V，其中Vp表示阈值电压。

3.根据权利要求2所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，在步骤（1）中，栅极电压设定的步进取值范围为(0.001*|Vp|~0.1*|Vp|)V。

4.根据权利要求2所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，在步骤（2）中，设漏极电压依次为Vd1、Vd2、Vd3、……Vdn，所有漏极电压均在1~100V之间，且Vd0Vd1Vd2Vd3……Vdn。

5.根据权利要求1所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，在步骤（1）和步骤（2）中，在测试转移特性时，将化合物半导体器件的源极接零电位。

6.根据权利要求1所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，所述化合物半导体器件包括碳化硅、氧化镓、氮化镓、氧化铪、砷化镓和磷化铟中任一种，根据化合物半导体器件的类型选择匹配的漏极电压。