[发明专利]降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法

说明书

本发明涉及一种降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro‑LED的制备方法，外延片包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、N‑GaN层、有源层以及接触层，包括如下步骤：测试外延片的翘曲度；在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且N‑GaN层被刻蚀至预设深度。首先对外延片的翘曲度进行测试，筛选出翘曲度超过预设值的外延片，然后在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且N‑GaN层被刻蚀至预设深度，相较于现有技术，本发明会刻蚀至N‑GaN层，且N‑GaN层上被刻蚀至预设深度，本实施例中的降低外延片翘曲度的方法所刻蚀的沟槽的深度更深，能够更好的释放应力，从而可以降低外延片的翘曲度。

技术领域

本发明涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法。

背景技术

LED是一种固体照明，由于LED具有体积小、耗电量低、使用寿命长、高亮度、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可，国内生产LED的规模也在逐步扩大。

蓝宝石是现阶段工业生长GaN基LED的比较常见的衬底材料。由于蓝宝石衬底和外延薄膜之间存在较大的热失配，使得外延晶体薄膜在生长过程中一直受到应力的作用，导致外延片发生弯曲，而外延片发生弯曲，会导致LED器件的性能受到很大的影响，尤其是对高PPI的Micro-LED影响更大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法，该降低外延片翘曲度的方法能够降低外延片的翘曲度，使用Micro-LED的制备方法制备的Micro-LED的性能更佳。

根据本发明的第一方面，提供一种降低外延片翘曲度的方法，所述外延片包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、N-GaN层、有源层以及接触层，所述方法包括如下步骤：

测试外延片的翘曲度；

在翘曲度超过预设值的所述外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且所述N-GaN层被刻蚀至预设深度。

作为本发明的一个实施例，在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且所述N-GaN层被刻蚀至预设深度之前，还包括如下步骤：

对翘曲度超过预设值的外延片进行清洁处理；

对清洁处理之后的外延片进行光刻处理。

作为本发明的一个实施例，所述对翘曲度超过预设值的外延片进行清洁处理包括如下步骤：

对翘曲度超过预设值的外延片通过清洗液及纯水清洗；

将清洗后的外延片烘干。

作为本发明的一个实施例，所述对清洁处理之后的外延片进行光刻处理包括：

对外延片进行涂胶处理；

对涂胶后的外延片进行曝光处理；

对曝光后的外延片进行显影处理；

对显影后的外延片进行坚膜处理。

作为本发明的一个实施例，所述预设深度为0.1-3微米。

作为本发明的一个实施例，所述预设深度的为0.5-1微米。

作为本发明的一个实施例，在所述在翘曲度超过预设值的所述外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且所述N-GaN层被刻蚀至预设深度的步骤中，对所述外延片进行刻蚀的方式为干刻或湿刻或ICP刻蚀。

作为本发明的一个实施例，所述衬底为蓝宝石。

根据本发明的第二方面，提供一种制备微显示阵列的方法，所述方法包括如下步骤：