[发明专利]一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法在审
| 申请号： | 202110043756.4 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112760719A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;魏汝省;赵丽霞;戴鑫;李天;乔亮;范云;李斌;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 碳化硅 单晶晶圆 制备 方法 | ||
1.一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，采用高能粒子辐照碳化硅晶片，
在碳化硅晶片引入点缺陷，以补偿碳化硅晶片浅能级缺陷；所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度＜1E15cm-3，B、N两种浅杂质浓度分别＜5E16cm-3，采用高能粒子辐照剂量为0.3-25MeV；辐照时间为0.1-6h。
2.根据权利要求1所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度＜2E14cm-3，所述B、N两种浅杂质浓度分别＜1E16cm-3，采用高能粒子辐照剂量为0.3-10MeV。
3.根据权利要求1所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，所述高能粒子为电子或中子或γ射线。
4.根据权利要求1所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，辐照方式为碳化硅晶片相对辐照装置固定或移动。
5.根据权利要求4所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，所述移动是碳化硅晶片自转同时高能粒子束贯穿碳化硅晶片做直线运动或高能粒子束在碳化硅晶片表面做Z形轨迹移动。
6.根据权利要求5所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，所述直线运动或Z形轨迹移动的速度为0.2-5mm/h。
7.根据权利要求1所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶片采用物理气相传输法生长得到，生长温度为2000-2300℃，生长压力为0.1-500Pa。
8.根据权利要求7所述的一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶体的晶型为3C、4H、6H、15R中的一种。
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