[发明专利]一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法有效
申请号: | 202110043905.7 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN112671297B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 林鹤云;仲宇翔;阳辉;陈智勇;房淑华 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H02P21/18 | 分类号: | H02P21/18;H02P21/06 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 张明利 |
地址: | 210096 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 记忆 电机 转子 位置 零位 偏差 在线 校正 方法 | ||
1.一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:假设编码器当前的零位为θ0,施加充磁电流id1,记录下充磁后的磁化状态MS0;
S2:调整记忆电机零位为θ1=θ0-Δθ,施加相同的充磁电流id1,记录充磁后的磁化状态MS1;调整记忆电机零位为θ2=θ0+Δθ,施加相同的充磁电流id1,记录充磁后的磁化状态MS2;
S3:根据记忆电机的磁化特性可知,若MS0=MS1=MS2,则θ0为更接近电机零位;若MS1=MS2MS0,则θ1更接近电机的零位,更新电机零位θ0=θ1;若MS2MS1MS0,则θ2更接近电机的零位,更新电机零位θ0=θ2;
S4:重复上述步骤寻找电机零位,直到寻至最佳电机零位;
所述步骤S3中记忆电机的磁化特性,包括,电机位置准确时,当施加d轴充磁电流id1,永磁磁链为ψPM1,此时再施加小于id1的充磁电流时,永磁体磁链不会改变,只有当d轴充磁电流脉冲的幅值大于id1时,永磁磁链才会进一步增大;同理,当施加d轴去磁电流id2时,只有当d轴去磁电流的幅值大于id2,永磁磁链才会进一步降低。
2.根据权利要求1所述的一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法,其特征在于,所述方法中的记忆电机磁化状态MS的获取包括以下步骤:
S1.11:记录三种MS状态下正常运行时的q轴电流幅值iq,分别为iq1、iq2、iq3;
S1.12:根据id=0时的转矩方程:
Te=1.5npiqψPM(id) (1)
其中,Te为电磁转矩,np为极对数,ψPM(id)为可变的永磁磁链,解得
ψPM(id)=Te/1.5npiq (2)
由于工况相同,Te不变,代入q轴电流iq1、iq2、iq3,求得永磁磁链ψPM1、ψPM2、ψPM3;易知,q轴电流大,永磁磁链小,磁化状态低;q轴电流小,永磁磁链大,磁化状态高。
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