[发明专利]一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法在审
| 申请号： | 202110044009.2 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112730549A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 齐通通;罗海林;钟祺;刘逸欣;王楠;李海洪;赖永福;苏辉 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/72 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 362712 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 掺杂 浓度 测试 精度 方法 | ||
1.一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在量产FP激光器结构基础上生长需要测试的掺杂层，即在FP激光器的Cap层上生长保护层，然后继续生长待测试的掺杂层；
2）在生长的掺杂层上进行ECV测试和霍尔测试；
3）通过霍尔测试的测试结果校准ECV测试的测试结果，获得掺杂层更精确的掺杂浓度；
4）清洗掉测试完成的掺杂层；
5）如果还有其他需要测试的掺杂层，继续在保护层上生长该掺杂层，然后重复步骤2-4，否则清洗掉保护层，测试结束。
2.根据权利要求1所述的一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，所述激光器为2.5G 1310 FP激光器。
3.根据权利要求1所述的一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，所述Cap层为P-InP层，所述保护层为具有设定厚度的P-InP层。
4.根据权利要求3所述的一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，所述P-InP层的厚度为400nm。
5.根据权利要求1所述的一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，先在待测试的掺杂层上进行ECV测试，再在其上制样，进行霍尔测试。
6.根据权利要求1所述的一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，在FP激光器上生长的掺杂层为该FP激光器层叠结构中不同生长层之一。
7.根据权利要求1所述的一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法，其特征在于，采用H3PO4：H2O2：H2O = 1：8：20的配制溶液来清洗掺杂层和保护层。
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