[发明专利]一种耐低温可拉伸固-液双相CuGa2 有效
| 申请号： | 202110044144.7 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112877647B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 巫运辉;吴文剑;詹杰荣 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/20;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 523808 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 拉伸 液双相 cuga base sub | ||
1.一种耐低温可拉伸固-液双相CuGa2-GaInSn导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述耐低温可拉伸固-液双相导电薄膜，其特征为采用原子共热蒸发法制备具有固-液双相结构的导电薄膜；其中，固相结构为CuGa2，液相结构为GaInSn，并且固、液两相是由镓原子层所连接在一起形成CuGa2-GaInSn导电薄膜；所述的CuGa2-GaInSn导电薄膜的制备方法包括以下制备步骤：
(1)在衬底材料表面采用热蒸发法蒸镀一层Cu原子薄膜，厚度为10-500nm；
(2)在步骤(1)所得Cu原子薄膜上，蒸镀一层Ga原子薄膜，厚度为10-500nm,形成Cu-Ga双层结构薄膜；
(3)在步骤(2)所得的Cu-Ga双层结构薄膜上，采用共热蒸发法，同时将In、Sn杂化共沉积形成In、Sn杂化原子层，厚度为10-500nm，形成Cu-Ga-In、Sn三层结构薄膜，其中第三层是由In、Sn原子杂化而成；
(4)将步骤(3)所得的Cu-Ga-In、Sn三层结构薄膜置于真空热处理炉中，抽真空并将热处理温度设置在200-250℃之间，加热时间为大于1小时，形成固-液双相CuGa2-GaInSn导电薄膜。
2.如权利要求1所述的一种耐低温可拉伸固-液双相CuGa2-GaInSn导电薄膜的制备方法，其特征在于：Ga、Cu原子接触的下界面层生成固相CuGa2，Ga、In、Sn原子生成液相GaInSn合金，并且固、液两相由Ga原子层连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞理工学院，未经东莞理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110044144.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池下料装置及下料方法
- 下一篇：一种石墨烯材料及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类
