[发明专利]一种半导体硅锭的防破碎激光切割抓取装置在审
申请号: | 202110044199.8 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN112676714A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 左英花 | 申请(专利权)人: | 上海坠雪电子科技有限公司 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;B28D5/00;B28D7/02;B28D7/00 |
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地址: | 201600*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 破碎 激光 切割 抓取 装置 | ||
本发明公开的一种半导体硅锭的防破碎激光切割抓取装置,包括工作箱体,所述工作箱体内设有传动腔,所述传动腔下侧内壁上固定设有电机,所述电机上端动力连接设有动力轴,本发明通过液压杆的往复运动,利用气压对切割完毕的硅片进行抓取,有效避免了厚度较薄的硅片在机械抓取中造成的脆性破裂,并且本装置能够连续作业,在液压杆的往复运动过程中,对切割抓取的硅片进行转移并放置在输送带上,在硅锭的激光切割过程中,对其切割位置进行吹风,即降低了切割温度,又对切割残渣进行了收集,本装置机构紧凑,能够有效提高硅锭的加工效率以及硅片的转移稳定性。
技术领域
本发明涉及半导体领域,具体为一种半导体硅锭的防破碎激光切割抓取装置。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其中,硅是一种应用最广泛的半导体材料。
在半导体的加工过程中,需要将硅锭切割成一定厚度的硅片,由于硅片材质较脆,传统的机械抓取装置易造成硅片的脆性破裂,人工手动切割的方式则过于费时费力,生产效率低。本发明阐述的,能够解决上述问题。
发明内容
技术问题:
传统的机械抓取装置易造成硅片的脆性破裂,人工手动切割的方式过于费时费力,生产效率低。
为解决上述问题,本例设计了一种半导体硅锭的防破碎激光切割抓取装置,本例的一种半导体硅锭的防破碎激光切割抓取装置,包括工作箱体,所述工作箱体内设有传动腔,所述传动腔下侧内壁上固定设有电机,所述电机上端动力连接设有动力轴,所述传动腔内设有切割装置,所述切割装置包括设置在所述工作箱体内且下侧内壁与所述传动腔上侧内壁贯通的工作腔,所述动力轴上端面上固定设有与所述传动腔上侧内壁以及所述工作腔下侧内壁转动连接的平衡箱,所述平衡箱内设有开口向上的平衡腔,所述平衡腔内上下滑动设有平衡板,所述平衡板下端面与所述平衡腔下侧内壁之间固定设有平衡弹簧,所述平衡板上放置设有硅锭,所述工作箱体内设有第一气压腔,所述第一气压腔内设有抓取装置,所述抓取装置包括上下滑动设置在所述第一气压腔内的第一活塞板,所述第一活塞板上端面与所述第一气压腔上侧内壁之间固定设有第一弹簧,所述第一活塞板上端面上固定设有与所述第一气压腔上侧内壁以及所述工作腔下侧内壁上下滑动连接的第一推杆,所述工作箱体内设有第二气压腔,所述第二气压腔内设有限位装置,所述限位装置包括上下滑动设置在所述第二气压腔内的第二活塞板,所述第二活塞板上端面与所述第二气压腔上侧内壁之间固定设有第二弹簧,所述第二活塞板上端面上固定设有与所述第二气压腔上侧内壁以及所述工作腔下侧内壁上下滑动连接的第二推杆,所述工作腔上侧内壁内嵌入设有液压缸,所述液压缸下端动力连接设有液压杆,所述液压杆下侧设有转移装置,所述转移装置包括固定设置在所述液压杆下端面上的从动板,所述从动板下端面上转动设有翻转轴,所述翻转轴左右侧端面上左右对称且固定设有固定销,所述固定销远离所述翻转轴侧端面上固定设有限位块,所述从动板下侧设有转移箱,所述转移箱上下侧端面之间贯通设有行程腔,所述行程腔内关于所述翻转轴左右对称设有两个滑腔,两个所述限位块分别在对应侧所述滑腔内上下滑动,所述限位块下端面与所述滑腔下侧内壁之间固定设有第三弹簧,所述滑腔靠近所述翻转轴侧内壁与所述行程腔对应侧内壁之间贯通设有供所述固定销上下滑动的滑槽。
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