[发明专利]一种异质结太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，包括：N型衬底(1)；所述N型衬底(1)的正面依次向上设置有第一钝化层、P型非晶硅层、第一透明导电层(8)和第一电极(9)；所述N型衬底(1)的背面依次向下设置有第二钝化层、N型非晶硅层、第二透明导电层(11)以及第二电极(10)；其特征在于，所述第一透明导电层(8)的内部设置有等离子体。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一透明导电层(8)包括第一厚度的第一透明导电层(8)与第二厚度的第一透明导电层(8)；

所述第一厚度的第一透明导电层(8)贴合所述P型非晶硅层设置，所述第一厚度的第一透明导电层(8)的内部设置有等离子体；

所述第一电极(9)设置在所述第二厚度的第一透明导电层(8)背对所述P型非晶硅层的一面。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一透明导电层(8)的厚度范围为60－120nm。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一厚度的第一透明导电层(8)的厚度范围为10－120nm；

所述第二厚度的第一透明导电层(8)的厚度范围为10－110nm。

5.根据权利要求2－4任一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一厚度的第一透明导电层(8)由掺锡氧化铟、氧化铟钛、掺钨氧化铟中的一种或多种制成；

所述第二厚度的第一透明导电层(8)由掺锡氧化铟、氧化铟钛、掺钨氧化铟中的一种或多种制成。

6.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在N型衬底(1)的背面上依次形成第二钝化层和N型非晶硅层，在N型衬底(1)的正面上依次形成第一钝化层和P型非晶硅层；

在N型非晶硅层上形成第二透明导电层(11)；

在P型非晶硅层上形成第一厚度的第一透明导电层(8)，向第一厚度的第一透明导电层(8)内注入等离子体，继续在第一厚度的第一透明导电层(8)上形成第二厚度的第一透明导电层(8)；

在第二透明导电层(11)上形成第二电极(10)，在第二厚度的第一透明导电层(8)上形成第一电极(9)。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述向第一厚度的第一透明导电层(8)内注入等离子体时，采用等离子体浸没离子注入方法向第一厚度的第一透明导电层(8)内注入等离子体。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述采用等离子体浸没离子注入方法向第一厚度的第一透明导电层(8)内注入等离子体，具体包括以下步骤；

将沉积完第一厚度的第一透明导电层(8)的衬底置于真空腔室内；

调整透明导电氧化物注入装置的工艺参数进入预先设置的数值范围内；

透明导电氧化物注入装置产生等离子体，等离子体浸没离子注入处理第一厚度的第一透明导电层(8)。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述透明导电氧化物注入装置产生等离子体时的工艺参数为：

以10－1000sccm的流量速度向注入腔室内注入纯氧，使注入腔室内的压强达到10^－6Pa－10^－3Pa的本底压强范围；

继续以10－1000sccm的流量速度向注入腔室内注入纯氧，调整注入腔室内气体的抽气速度，使注入腔室内的压强达到10^－2Pa－10Pa的工作压强范围；

开启透明导电氧化物注入装置，透明导电氧化物注入装置的电源输出功率为1－10000W，透明导电氧化物注入装置的工艺时间为1－60min。

10.根据权利要求6－9任一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述在N型衬底(1)的背面上依次沉积第二钝化层和N型非晶硅层之前，还包括：

对N型衬底(1)的双面进行抛光及制绒处理。