[发明专利]控制器及其操作方法在审
申请号: | 202110045869.8 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN113539340A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 尹相皓;姜淳荣;金大成 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李新娜;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制器 及其 操作方法 | ||
1.一种控制存储器装置的控制器,包括:
处理器,控制所述存储器装置通过使用第一软读取电压来执行第一软读取操作;以及
错误校正码即ECC编解码器,基于通过所述第一软读取操作获得的第一软读取数据来执行第一软判决解码操作,
其中根据所述第一软判决解码操作是否失败,所述处理器控制所述存储器装置利用第二软读取电压的附加读取电压来执行第二软读取操作,所述第二软读取电压的附加读取电压不同于所述第一软读取电压中的任意一个且基于所述第一软读取数据而确定,并且
其中所述ECC编解码器基于所述第一软读取数据和通过所述第二软读取操作获得的第二软读取数据执行第二软判决解码操作。
2.根据权利要求1所述的控制器,其中所述处理器确定所述第一软读取电压为具有离第一参考读取电压的各自的偏移量。
3.根据权利要求2所述的控制器,其中所述处理器基于应用于阈值电压分布的高斯建模技术,将所述存储器装置中的存储器单元的阈值电压分布内的两个相邻逻辑状态的平均阈值电压之间的电压确定为所述第一参考读取电压。
4.根据权利要求3所述的控制器,
其中所述处理器控制所述存储器装置通过使用所述第一参考读取电压来执行第一硬读取操作,并且
其中所述ECC编解码器在执行所述第一软判决解码操作之前,基于通过所述第一硬读取操作获得的第一硬取读数据来执行第一硬判决解码操作。
5.根据权利要求2所述的控制器,其中所述处理器确定所述第二软读取电压为具有离第二参考读取电压的各自的偏移量。
6.根据权利要求5所述的控制器,其中所述处理器将根据所述第一软读取电压确定的二进制标签之中数量最少的存储器单元所属的二进制标签的中心阈值电压确定为所述第二参考读取电压。
7.根据权利要求1所述的控制器,
其中所述处理器执行第一操作,所述第一操作为控制所述存储器装置通过使用所述第一软读取电压中的任意一个来执行所述第一软读取操作,
其中所述ECC编解码器执行第二操作,所述第二操作为基于通过执行所述第一软读取操作而获得的所述第一软读取数据来执行所述第一软判决解码操作,并且
其中所述处理器和所述ECC编解码器重复地执行所述第一操作和所述第二操作,直到成功执行所述第一软判决解码操作或达到设置的迭代次数。
8.根据权利要求1所述的控制器,进一步包括:存储所述第一软读取数据和所述第二软读取数据的存储器。
9.一种控制存储器装置的控制器的操作方法,所述操作方法包括:
控制所述存储器装置通过使用第一软读取电压执行第一软读取操作;
基于通过所述第一软读取操作获得的第一软读取数据来执行第一软判决解码操作;
根据所述第一软判决解码操作是否失败,控制所述存储器装置利用第二软读取电压的附加读取电压来执行第二软读取操作,所述第二软读取电压的附加读取电压不同于所述第一软读取电压中的任意一个且基于所述第一软读取数据而确定;并且
基于所述第一软读取数据和通过所述第二软读取操作获得的第二软读取数据来执行第二软判决解码操作。
10.根据权利要求9所述的操作方法,进一步包括:确定所述第一软读取电压为具有离第一参考读取电压的各自的偏移量。
11.根据权利要求10所述的操作方法,进一步包括:基于应用于阈值电压分布的高斯建模技术,将所述存储器装置中的存储器单元的阈值电压分布内的两个相邻逻辑状态的平均阈值电压之间的电压确定为所述第一参考读取电压。
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