[发明专利]一种含组合介质深槽的横向耐压区

权利要求书

1.一种含组合介质深槽的横向耐压区，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置有漂移区(2)，漂移区(2)中设置有上端开口的槽体，漂移区(2)槽体的低电位侧设置有P型深槽电容充电电荷补偿区(7)，漂移区(2)槽体的高电位侧设置有N型深槽电容充电电荷补偿区(3)；

所述P型深槽电容充电电荷补偿区(7)与与其相邻的漂移区(2)的上端共同设置有P型重掺杂区(10)；P型重掺杂区(10)上设置有阳极(6)；

所述N型深槽电容充电电荷补偿区(3)与与其相邻的漂移区(2)的上端共同设置有N型重掺杂区(9)；N型重掺杂区(9)上设置有阴极(4)；

P型深槽电容充电电荷补偿区(7)和N型深槽电容充电电荷补偿区(3)之间设置有第二介质(8)，第二介质(8)内设置有上宽下窄的第一介质(5)；第一介质(5)的上部左右两端分别与P型重掺杂区(10)和N型重掺杂区(9)相连；第二介质(8)的介电常数为第一介质(5)的介电常数的20倍以上。

2.根据权利要求1所述的含组合介质深槽的横向耐压区，其特征在于，所述漂移区(2)包括设置在衬底(1)上的N型漂移区，N型漂移区设置为U形且开口向上；N型漂移区内设置有P型漂移区，P型漂移区为U形且开口向上。

3.根据权利要求1所述的含组合介质深槽的横向耐压区，其特征在于，所述漂移区(2)包括设置在衬底(1)上的P型漂移区，P型漂移区设置为U形且开口向上；P型漂移区内设置有N型漂移区，N型漂移区为U形且开口向上。

4.根据权利要求1所示的含组合介质深槽的横向耐压区，其特征在于，第二介质(8)的左右两个上端分别止于P型深槽电容充电电荷补偿区(7)的顶部和N型深槽电容充电电荷补偿区(3)的顶部。