[发明专利]缓冲层用助烧结剂、包含缓冲层的电阻及电阻制法

权利要求书

1.一种缓冲层用助烧结剂，其包含第一硼钡锌硅铝钒系玻璃料，所述第一硼钡锌硅铝钒系玻璃料包含B₂O₃、BaO、ZnO、SiO₂、Al₂O₃和V₂O₅，并以B₂O₃、BaO、ZnO、SiO₂、Al₂O₃和V₂O₅的总摩尔数为基准，B₂O₃的含量为14.01mol％至34mol％，BaO的含量为1.5mol％至8.44mol％，ZnO的含量为20.06mol％至34.6mol％，SiO₂的含量为23mol％至49.11mol％，Al₂O₃的含量为4.9mol％至7.60mol％，以及V₂O₅的含量为0.77mol％至1.85mol％。

2.一种电阻，其包含一复合层状结构和二侧面电极，所述二侧面电极分别设置于所述复合层状结构的相对两侧面；以及所述复合层状结构依序包含一基板、一缓冲层和一电阻层；其中，所述缓冲层由一缓冲层用组成物所形成，且所述缓冲层用组成物包含如权利要求1所述的缓冲层用助烧结剂、一填料、一第一树脂和一第一有机溶剂。

3.如权利要求2所述的电阻，其特征在于，所述第一硼钡锌硅铝钒系玻璃料的玻璃软化温度为586℃至739℃。

4.如权利要求2所述的电阻，其特征在于，所述第一硼钡锌硅铝钒系玻璃料的平均粒径为1微米至5微米。

5.如权利要求2所述的电阻，其特征在于，所述填料包含铝氧化物、锌氧化物、硅氧化物、钛氧化物的任一或其组合。

6.如权利要求2所述的电阻，其特征在于，所述缓冲层用助烧剂与所述填料的重量比为0.4：0.6至0.75：0.25。

7.如权利要求2所述的电阻，其特征在于，于所述缓冲层用组成物中，以所述缓冲层用助烧结剂、所述填料、所述第一树脂和所述第一有机溶剂的总重为基准，所述缓冲层用助烧结剂的含量为25.6重量百分比至48重量百分比；所述填料的含量为16重量百分比至38.4重量百分比；所述第一树脂的含量为1重量百分比至2重量百分比；以及所述第一有机溶剂的含量为30重量百分比至40重量百分比。

8.如权利要求2所述的电阻，其特征在于，所述电阻层是由一电阻膏所形成，且所述电阻膏包含一金属粉、一电阻层用助烧结剂、一第二树脂和一第二有机溶剂。

9.如权利要求8所述的电阻，其特征在于，所述电阻层用助烧结剂包含第二硼钡锌硅铝钒系玻璃料，所述第二硼钡锌硅铝钒系玻璃料包含B₂O₃、BaO、ZnO、SiO₂、Al₂O₃和V₂O₅，并以B₂O₃、BaO、ZnO、SiO₂、Al₂O₃和V₂O₅的总摩尔数为基准，B₂O₃的含量为26.70mol％至29.1mol％，BaO的含量为10.1mol％至12.64mol％，ZnO的含量为15.39mol％至19.9mol％，SiO₂的含量为37.2mol％至42.36mol％，Al₂O₃的含量为2.68mol％至3mol％，以及V₂O₅的含量为0.22mol％至0.6mol％。