[发明专利]一种薄膜铌酸锂电光开关

权利要求书

1.一种薄膜铌酸锂电光开关，包括由下至上堆叠的衬底、下包层、薄膜铌酸锂平板光波导、电光开关组件以及上包层，其特征在于，所述电光开关组件包括：

沿光路依次设置在薄膜铌酸锂平板光波导上的输入耦合器、电光作用区以及输出耦合器，其中，

所述输入耦合器具有至少一条第一输入光波导、第一多模干涉区以及两条第一输出光波导，所述第一输入光波导、第一多模干涉区以及第一输出光波导顺次连接；

所述输出耦合器具有两条第二输入光波导、第二多模干涉区以及至少一条第二输出光波导，所述第二输入光波导、第二多模干涉区以及第二输出光波导顺次连接；

所述电光作用区具有地电极与信号电极，所述地电极位于信号电极两侧，且所述地电极与信号电极之间设有薄膜铌酸锂直波导；

所述地电极与信号电极均具有自上而下设置的上层金属电极与下层金属电极，所述上层金属电极的厚度均大于下层金属电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述薄膜铌酸锂平板光波导位于两条第一输出光波导之间的区域具有第一深刻蚀区；所述薄膜铌酸锂平板光波导位于两条第二输入光波导之间的区域具有第二深刻蚀区。

3.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述薄膜铌酸锂直波导的横截面为梯形。

4.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述薄膜铌酸锂直波导的输入端分别与两条第一输出光波导相连，输出端分别与第二输入光波导相连。

5.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述地电极与信号电极的上层金属电极的顶部均伸出所述上包层，所述上包层与下包层的材料均为二氧化硅。

6. 根据权利要求5所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述下包层的厚度为1μm-5μm；所述上包层的厚度为1μm- 3μm。

7.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述第一、第二输入光波导，第一、第二输出光波导以及薄膜铌酸锂直波导的宽度均为500nm-2μm，所述第一、第二多模干涉区的宽度为6μm-100μm。

8.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述薄膜铌酸锂平板光波导的厚度为10nm-500nm，所述薄膜铌酸锂直波导的厚度为100nm-500nm。

9.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：所述地电极与信号电极的上层金属电极厚度为100nm-2μm，所述地电极与信号电极的下层金属电极厚度为10nm-500nm；所述信号电极的上层金属电极与两侧地电极的上层金属电极之间的间距相同，均为5μm-50μm；所述信号电极的下层金属电极与两侧地电极的下层金属电极之间的间距相同，均为3μm-5μm。

10.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂电光开关，其特征在于：两个所述地电极的上层金属电极宽度相同，均为10μm-400μm；两个所述地电极的下层金属电极的宽度相同，均为15μm-500μm；所述信号电极的上层金属电极宽度为5μm-100μm；所述信号电极的下层金属电极宽度为10μm-200μm。