[发明专利]一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，所述多碱光电阴极基底由位于底部的圆柱体和位于所述圆柱体正上方的锥台组成，所述多碱光电阴极基底的表面由位于基底边缘处的环形平面、位于所述环形平面以内的锥台斜面和位于锥台顶部的中心台阶面三部分组成；其特征在于：

所述的薄膜为在基底上的蒸镀的铬层薄膜、铜层薄膜和银层薄膜；

所述铬层薄膜蒸镀在基底的表面，从基底边缘覆盖至所述环形平面、锥台斜面以及中心台阶面的自外向内延伸4mm的范围；

所述铜层薄膜蒸镀在所述环形平面内的铬层薄膜正上方，覆盖范围从基底最外侧边缘向内延伸6mm；

所述银层薄膜蒸镀在铜层薄膜表面，完全覆盖铜层薄膜。

2.根据权利要求1所述的用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于：

所述铬层薄膜的厚度为

3.根据权利要求2所述的用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于：

所述铜层薄膜的厚度为

4.根据权利要求3所述的用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于：

所述银层薄膜的厚度为

5.一种制备如权利要求1至4任一项所述的用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

①将多碱光电阴极基底放入镀铬用的夹具内，镀膜机内放入铬源，将装有阴极基底的夹具放入镀膜机内，设定镀膜厚度，开始镀膜；

②取出镀有铬层的阴极基底放入镀铜用夹具，镀膜机内放入铜源和银源，将镀膜机程序设定为先镀铜层，镀铜结束后，设定蒸镀银层，再进行银层蒸镀。