[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括器件区域和浅沟槽隔离区域，所述浅沟槽隔离区域环绕所述器件区域，所述器件区域暴露于所述基底表面；

于所述基底上沉积阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述器件区域；

形成初始氧化物，所述初始氧化物位于所述器件区域内，且与所述阻挡层接触；

去除部分所述初始氧化物，形成器件氧化物。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述器件氧化物的厚度为1nm-3nm。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述器件氧化物为氧化硅。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述初始氧化物的厚度小于或者等于6nm。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成初始氧化物的步骤包括：

通过原位水汽生成工艺对所述器件区域进行热氧化处理，形成所述初始氧化物。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述原位水汽生成工艺的温度为1000℃-1500℃。

7.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成初始氧化物的步骤之后，在所述去除部分所述初始氧化物的步骤之前，还包括：

利用刻蚀工艺去除所述阻挡层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成初始氧化物的步骤之后，在所述利用刻蚀工艺去除所述阻挡层的步骤之前，还包括：

对所述初始氧化物进行渗氮处理。

9.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述初始氧化物的步骤包括：

利用稀释氢氟酸溶液移除远离所述基底的部分所述初始氧化物。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述稀释氢氟酸溶液中的氢氟酸和去离子水的质量比的范围为1:500-1:2000。

11.根据权利要求1-10任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层为氮化硅层或者氮氧化硅层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5nm-10nm。

13.根据权利要求1-10任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述基底上沉积阻挡层的步骤包括：

通过原子层沉积工艺于所述基底上沉积所述阻挡层。

14.根据权利要求1-10任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离区域的材质包括氧化硅。

15.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括器件区域和浅沟槽隔离区域，所述浅沟槽隔离区域环绕所述器件区域，所述器件区域暴露于所述基底表面；

器件氧化物，所述器件氧化物位于所述器件区域内，且所述器件氧化物的厚度为1nm-3nm。