[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

存储单元，连接于字线；以及

控制电路，构成为执行反复进行编程循环的写入动作，所述编程循环包括将编程电压施加于所述字线的编程动作、及接在所述编程动作之后继续进行的验证动作；且

所述控制电路构成为，在所述写入动作中，

每反复进行一次所述编程循环，便使所述编程电压上升第1量，

在使所述写入动作中断的情况下，在重新开始所述写入动作后第n次(n为1以上的整数)为止的编程动作中，将所述第1量变更为第2量，所述第2量是小于所述第1量的正数。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，

使所述写入动作在所述编程循环中从所述编程动作结束到所述验证动作结束为止的第1期间内中断的情况下，在使所述写入动作的中断重新开始后第n次为止的编程动作中，将所述第1量变更为所述第2量。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，

在使所述写入动作中断的情况下，在使所述写入动作的中断重新开始以后的所有编程动作中，均将所述第1量变更为所述第2量。

4.一种半导体存储装置，具备：

存储单元，连接于字线；以及

控制电路，构成为执行反复进行编程循环的写入动作，所述编程循环包括将编程电压施加于所述字线的编程动作、及接在所述编程动作之后继续进行的验证动作；且

所述控制电路构成为，在所述写入动作中，

每进行一次所述编程循环，便使所述编程电压上升第1量，

在使所述写入动作中断时执行第1动作且所述第1动作满足条件的情况下，在使所述写入动作重新开始后第n次(n为1以上的整数)为止的编程动作中，将所述第1量变更为小于所述第1量的第2量。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第2量为正数。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第2量为0。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，

在使所述写入动作中断的情况下，在使所述写入动作的中断重新开始以后的所有编程动作中，均将所述第1量变更为所述第2量。

8.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所谓所述第1动作满足所述条件，包括在所述编程循环中从所述编程动作结束到所述验证动作结束为止的第1期间内执行所述第1动作。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所谓所述第1动作满足所述条件，包括所述第1期间的长度超过第1阈值。

10.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所谓所述第1动作满足所述条件，包括执行所述第1动作的第2期间的长度超过第2阈值。

11.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所谓所述第1动作满足所述条件，包括在所述编程循环中从所述编程动作结束到所述验证动作结束为止的第1期间内执行的所述第1动作的次数超过第3阈值。

12.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所谓所述第1动作满足所述条件，包括将所述第1动作与来自存储器控制器的指定的指令建立关联。

13.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所谓所述第1动作满足所述条件，包括执行所述第1动作期间的温度超过第4阈值。