[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202110047558.5 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140453A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 欧阳盼盼;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
形成一开口；以及
沉积一金属层于该开口中，其中沉积该金属层的步骤包括：
执行一或多个沉积循环，每个沉积循环包括：
流送一第一前驱物进入一沉积腔室；
执行一紫外线辐射制程于该第一前驱物上；
执行一驱净制程于该沉积腔室中，以移除至少一部分的该第一前驱物；
流送一第二前驱物进入该沉积腔室；以及
驱净该沉积腔室，以移除至少一部分的该第二前驱物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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