[发明专利]形成SiCN薄膜

权利要求书

1.一种通过包含至少一个沉积循环的原子层沉积(ALD)工艺在反应空间中的衬底上形成含硅薄膜的方法，所述至少一个沉积循环包含：

使所述衬底与包含卤素的气相硅前体接触；以及

使所述衬底与胺反应物接触，其中在所述沉积循环中未利用等离子体反应物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体具有式Si_nX_2n+2，其中X是卤素，并且n是大于或等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体包含烷基卤代硅烷。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体包含八氯三硅烷、六氯二硅烷、五氯二硅烷、四氯化硅或三氯硅烷。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述胺反应物具有式C_aN_bH_c，其中a、b和c是整数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述胺反应物包含乙二胺或丙基三胺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体包含桥连卤代硅烷。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述硅前体包含八氯硅氧烷或双(三氯硅烷基)甲烷。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅薄膜包含SiCN膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其另外包含在至少一个沉积循环之后使所述衬底与氧化性反应物接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述氧化性反应物选自由以下组成的组：O₂、O₃、H₂O₃、H₂O、氧等离子体和氧自由基。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述ALD工艺中不使用等离子体反应物。

13.一种在衬底上形成SiCN薄膜的方法，其包含使所述衬底交替且依次与包含卤素的硅前体和胺反应物接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述衬底与所述硅前体和所述胺反应物在约200到约400℃的温度下接触。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述硅前体包含两种不同卤素。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述硅前体包含卤代硅烷。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述硅前体包含八氯三硅烷、五氯二硅烷、六氯二硅烷或三氯硅烷。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述胺反应物包含二胺或三胺。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述胺反应物包含乙二胺或丙基三胺。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述硅前体包含八氯三硅烷，并且所述胺反应物包含乙二胺。