[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一基底上方形成一栅极堆叠；

在该栅极堆叠的侧壁上形成一第一栅极间隔物；

在该第一栅极间隔物的侧壁上形成一第二栅极间隔物；

使用一蚀刻制程移除该第二栅极间隔物以形成一第一开口，其中该蚀刻制程在小于0℃的温度下进行，其中该蚀刻制程使用包括氟化氢的蚀刻溶液；以及

在该第一栅极间隔物和该栅极堆叠上方沉积一介电层，该介电层在该第一开口中密封一气体间隔物。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻溶液还包括一催化剂，其中该催化剂包括水。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻溶液中的该氟化氢的流速为50SCCM至700SCCM，且其中该蚀刻溶液中的该水的流速为300MGM至1800MGM。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻溶液还包括一催化剂，其中该催化剂包括乙醇。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻溶液中的该氟化氢的流速为50SCCM至700SCCM，且其中该蚀刻溶液中的该乙醇的流速为100SCCM至800SCCM。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻制程包括一至三个蚀刻循环，且其中在所述蚀刻循环中的每一个之后进行吹净。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在该蚀刻制程期间，在该栅极堆叠和该第一栅极间隔物的表面上形成一固态蚀刻膜，并在该第二栅极间隔物的表面上形成一液态蚀刻膜。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一半导体基底上方形成一栅极堆叠；

在该栅极堆叠的侧壁上形成一第一栅极间隔物；

在该第一栅极间隔物的侧壁上形成一第二栅极间隔物；

在该栅极堆叠的两侧外延成长多个源极/漏极区；

使用一蚀刻制程移除该第二栅极间隔物，其中该第二栅极间隔物的移除形成多个第一开口，其中在该蚀刻制程期间，在该栅极堆叠、该第一栅极间隔物和所述源极/漏极区的表面上形成一固态蚀刻膜，并在该第二栅极间隔物的表面上形成一液态蚀刻膜；以及

沉积一第一介电层以密封所述第一开口并在该第一栅极间隔物的侧壁上界定一气体间隔物。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，该第二栅极间隔物包括氧化硅层和氮化硅层，且其中该第一栅极间隔物包括氮碳化硅。

10.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

在一半导体基底上方形成一虚设栅极；

在该虚设栅极上方沉积一第一间隔层；

在该第一间隔层上方沉积一第二间隔层；

在该第二间隔层上方沉积一第三间隔层；

将该第一间隔层、该第二间隔层和该第三间隔层图案化以分别形成一第一栅极间隔物、一第二栅极间隔物和一第三栅极间隔物；

在与该第三栅极间隔物相邻的该虚设栅极的两侧外延成长多个源极/漏极区；

以一金属栅极取代该虚设栅极；以及

在取代该虚设栅极之后，在低于0℃的温度下使用一蚀刻制程移除该第二栅极间隔物和该第三栅极间隔物，该第二栅极间隔物和该第三栅极间隔物的移除形成一空隙，该空隙暴露出该第一栅极间隔物和所述源极/漏极区的表面。