[发明专利]一种氧化锆种植体表面处理方法有效
申请号: | 202110048550.0 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112869897B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 谢海峰;陈晨;洪高英;何峰 | 申请(专利权)人: | 南京医科大学附属口腔医院 |
主分类号: | A61C8/00 | 分类号: | A61C8/00;C23C26/00 |
代理公司: | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人: | 张海青 |
地址: | 210029 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化锆 种植 体表 处理 方法 | ||
1.一种氧化锆种植体表面处理方法,其特征在于,对氧化锆种植体表面进行喷砂处理后清洗干燥,置于碱性溶液中羟基化处理,再浸渍于硅烷溶液中避光化学共缩合反应,取出清洗干燥得经过表面处理的氧化锆种植体;
所述碱性溶液pH值10-14,羟基化处理温度60℃,羟基化处理时间24h;
所述硅烷溶液浓度为1-5vt%,避光反应在常温下进行;
所述硅烷溶液的溶剂为醇和水的混合体系;
所述硅烷溶液选自3-巯丙基三甲氧基硅烷或3-氨丙基三乙氧基硅烷。
2.根据权利要求1所述的氧化锆种植体表面处理方法,其特征在于,所述喷砂处理选用氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化锆微球或氧化铝微球,颗粒或微球粒径30-120μm,压力0.4-0.6MPa,喷嘴与氧化锆之间的距离10-15mm,喷砂时间5-10s。
3.根据权利要求1所述的氧化锆种植体表面处理方法,其特征在于,所述清洗为依次经乙醇、去离子水超声清洗,干燥为65℃真空干燥或65℃烘箱干燥。
4.一种经过权利要求1-3任一项所述的氧化锆种植体表面处理方法所得到的氧化锆种植体。
5.根据权利要求4所述的氧化锆种植体,其特征在于,氧化锆种植体表面硅烷质量浓度28-30%。
6.一种根据权利要求4-5任一项所述的氧化锆种植体作为牙科种植体的应用。
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