[发明专利]一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法

权利要求书

1.一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于：包括对超纯水清洗后对晶圆进行预烘烤，对光刻胶样品进行水浴放置以及在涂覆光刻胶前，设定程序预先手动喷雾光刻胶对应的溶剂溶液，然后吸取一定量光刻胶对烘烤后的晶圆进行涂覆；

对涂覆有光刻胶的晶圆进行曝光处理；对曝光后的晶圆进行曝光后烘烤；对曝光后烘烤的晶圆进行室温冷却处理；最后对晶圆进行显影。

2.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于：水浴放置是将涂覆光刻胶样品之前在23℃的水浴锅放置。

3.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于：喷雾所用的光刻胶对应的溶剂溶液为丙二醇甲醚醋酸酯溶液。

4.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于:对晶圆进行预烘烤，设置预烘烤温度为100－120℃，烘烤时间为10min－20min。

5.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于：在对晶圆进行烘烤后，在对烘烤后的晶圆涂覆光刻胶之前，须将所述晶圆冷却至23℃。

6.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于:对涂覆光刻胶后的晶圆进行曝光处理前，须使用90－110℃的温度对晶圆进行曝光前烘烤处理，烘烤时间为2mim－3min。

7.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于:对曝光后的晶圆进行曝光后烘烤，须使用90－110℃的温度对晶圆进行曝光后烘烤处理，烘烤时间为60－180s。

8.根据权利要求1所述的改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于:对曝光后烘的晶圆进行室温冷却，冷却时间为10－30min。