[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在N型衬底的正面和背面分别形成本征钝化层；

在所述N型衬底的正面的本征钝化层上形成N型非晶硅或微晶硅层，在所述N型衬底的背面的本征钝化层上形成P型非晶硅或微晶硅层；

分别在所述N型非晶硅或微晶硅层和P型非晶硅或微晶硅层上形成透明导电层；

在所述透明导电层的表面形成电极；

其中，形成本征钝化层，包括：

采用射频等离子体增强化学气相沉积工艺在所述N型衬底上形成第一子本征钝化层；

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一子本征钝化层上形成第二子本征钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一子本征钝化层和形成所述第二子本征钝化层在不同的工艺腔室内进行。

3.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述第二子本征钝化层之前，还包括：采用气体等离子体对所述第一子本征钝化层进行预处理，去除射频等离子体增强化学气相沉积工艺环境在所述第一子本征钝化层表面的残留。

4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一子本征钝化层的工艺条件为：

射频电源的射频频率为3kHz-300GHz，加热时间均为80s-120s，所述N型衬底的表面温度为180℃-200℃，氢气的流量为15000sccm-20000sccm，四氢化硅的流量为150sccm-200sccm，掺杂气体乙硼烷的流量为10sccm-100sccm，掺杂气体磷化氢的流量为10sccm-100sccm，沉积压力为0.4torr-0.8torr，沉积功率为2000W-4000W，沉积时间为500s-1000s。

5.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成第二子本征钝化层的工艺条件为：

甚高频电源的射频频率为30MHz-300MHz，加热时间均为80s-120s，所述第一子本征钝化层的表面温度为180℃-200℃，氢气的流量为15000sccm-20000sccm，四氢化硅的流量为150sccm-200sccm，掺杂气体乙硼烷的流量为10sccm-100sccm，掺杂气体磷化氢的流量为10sccm-100sccm，沉积压力为0.4torr-0.8torr，沉积功率为2000W-4000W，沉积时间为500s-1000s。

6.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成N型非晶硅或微晶硅层，形成P型非晶硅或微晶硅层的步骤中：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积工艺在本征钝化层上形成所述N型非晶硅或微晶硅层和P型非晶硅或微晶硅层，工艺条件为：

甚高频电源的射频频率为30MHz-300MHz，加热时间为80s-120s，所述第二子本征钝化层的表面温度为180℃-200℃，氢气的流量为15000sccm-20000sccm，四氢化硅的流量为150sccm-200sccm，掺杂气体乙硼烷的流量为10sccm-100sccm，掺杂气体磷化氢的流量为10sccm-100sccm，沉积压力为0.4torr-0.8torr，沉积功率为2000W-4000W，沉积时间为500s-1000s。

7.一种异质结太阳能电池，采用上述权利要求1-6中任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法制备而成，其特征在于，包括：N型衬底；在所述N型衬底的正面依次向上设置的第一本征钝化层、N型非晶硅或微晶硅层、第一透明导电层；在所述N型衬底的背面依次向下设置的第二本征钝化层、P型非晶硅或微晶硅层、第二透明导电层；所述第一本征钝化层和所述第二本征钝化层均包括：与所述N型衬底接触的第一子本征钝化层，以及与第一子本征钝化层接触的第二子本征钝化层。