[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有相对的第一面和第二面；

磁芯，所述磁芯位于所述基底中，所述磁芯在所述第一面上的正投影为封闭环状图形；

介质层，所述介质层位于所述第二面；

螺线管状的金属层，所述金属层位于所述基底以及所述介质层内且绕设于所述磁芯的周围，所述金属层与所述磁芯之间具有间隔，所述第一面露出部分所述金属层，所述介质层远离所述基底的表面露出部分所述金属层，其中，所述金属层包括：位于所述基底中的多个第一金属层，所述第一金属层位于所述磁芯朝向所述第一面的一侧，且所述第一金属层在所述第一面的正投影与所述磁芯在所述第一面的正投影相交；贯穿所述基底和所述介质层的多个第二金属层；以及位于所述介质层中的多个第三金属层，且所述第三金属层在所述第一面的正投影与所述磁芯在所述第一面的正投影相交；所述第三金属层的两端通过所述第二金属层分别与相邻两个所述第一金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属层与所述磁芯之间的间距范围和所述第一金属层与所述磁芯之间的间距范围相同，所述第三金属层与所述磁芯之间的间距范围和所述第一金属层与所述磁芯之间的间距范围也相同。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第三金属层的厚度范围与所述第一金属层的厚度范围相同；所述第二金属层在沿垂直于所述第二金属层延伸方向的方向上厚度范围与所述第一金属层的厚度范围相同。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一通孔，所述第一通孔贯穿所述基底和所述介质层，且所述第一通孔露出部分所述磁芯和部分所述金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔的中心轴线与所述磁芯的中心轴线重合。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述磁芯在所述基底表面的正投影为圆环，所述第一通孔在所述基底上的正投影由一个圆形和至少一个位于所述圆形边缘且凸出于所述圆形的凸起图形构成，且所述圆形的直径小于所述圆环的最大直径，所述凸起图形凸出于所述圆环的外边缘。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔在所述基底上的正投影为轴对称图形。

8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有相对的第一面和第二面，且所述基底内具有磁芯，所述磁芯在所述第一面上的正投影为封闭环状图形，所述基底的第二面上具有介质层；

在所述基底和所述介质层中形成呈螺线管状的连续沟槽，且所述连续沟槽绕设于所述磁芯的周围，所述连续沟槽与所述磁芯之间具有间隔，所述第一面露出部分所述连续沟槽，所述介质层远离所述基底的表面露出部分所述连续沟槽；

在所述连续沟槽中形成金属层，其中，所述金属层包括：位于所述基底中的多个第一金属层，所述第一金属层位于所述磁芯朝向所述第一面的一侧，且所述第一金属层在所述第一面的正投影与所述磁芯在所述第一面的正投影相交；贯穿所述基底和所述介质层的多个第二金属层；以及位于所述介质层中的多个第三金属层，且所述第三金属层在所述第一面的正投影与所述磁芯在所述第一面的正投影相交；所述第三金属层的两端通过所述第二金属层分别与相邻两个所述第一金属层电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述连续沟槽的工艺步骤包括：

刻蚀所述基底和所述介质层以形成多个第一通孔，所述第一通孔贯穿所述基底和所述介质层，且所述第一通孔位于所述磁芯两侧；

刻蚀所述第一面以形成多个第一凹槽；

刻蚀所述介质层远离所述基底的一侧以形成多个第二凹槽，且所述第二凹槽通过所述第一通孔分别与相邻的两个所述第一凹槽相连通，多个所述第一凹槽、多个所述第一通孔和多个所述第二凹槽构成所述连续沟槽。