[发明专利]外延生长镍酸镧及镧锶锰氧薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种外延导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，制备的外延导电氧化物薄膜的化学组成为LaNiO₃或La_0.7Sr_0.3MnO₃，所述制备方法包括：

配制含可溶性高分子聚合物、溶剂、小分子络合剂和金属盐的前驱体溶液，其中，所述金属盐包括与所述外延导电氧化物薄膜的化学组成对应的摩尔比的镧盐、镍盐、锶盐及锰盐；以及将所述前驱体溶液涂覆在基底表面上，将涂覆有所述前驱体溶液的基底在高于350℃且500℃以下的温度下预烧结后，升温至600～900℃的温度进行烧结，得到所述外延导电氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液浓度为0.25mol/L以下。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述小分子络合物与所述金属盐中所有金属离子的摩尔比为1～2：1，所述可溶性高分子聚合物与所述小分子络合物的质量比为1～2：1。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性高分子聚合物是含胺基的水溶性聚合物，优选为聚乙烯亚胺、聚丙烯酸、聚吡啶、聚乙烯马来酸中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属盐为乙酸盐、硝酸盐、氯盐、溴酸盐、硫酸盐或碳酸盐。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述小分子络合剂为乙二胺四乙酸或一水合柠檬酸。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液在基底上的涂覆厚度为10～50nm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述预烧结包括以0.5～1℃/min速率升温至高于350℃且500℃以下，保温1～2小时；所述烧结包括以5～10℃/min速率升温至600～900℃，保温1～2小时。

9.一种由权利要求1至8中任一项所述的外延导电氧化物薄膜的制备方法制备的外延导电氧化物薄膜。

10.一种具备权利要求9所述的外延导电氧化物薄膜的器件，所述器件为薄膜电容器、电容器、超级电容器、集成无源器件、DRAM存储用电容器、层叠电容器、铁电存储器用电容器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、致动器、谐振器、超声波马达、电气开关、光学开关或LC噪声滤波器元件的复合电子组件。