[发明专利]一种宽温度范围工作环境下芯片测试方法

权利要求书

1.一种宽温度范围工作环境下芯片测试方法，其特征在于，包括常规温度工作环境下芯片测试方法和超高温工作环境下芯片测试方法；

所述常规温度工作环境是指工作温度在50摄氏度到150摄氏度之间，探针(1-4)仍能够发生弹性形变的温度范围，该测试方法步骤如下：

步骤a、调整中间导板(1-2)，使中间导板(1-2)挤压到中部探针(1-4-2)侧部，使探针(1-4)在中间导板(1-2)的作用下，向一侧弯曲；

步骤b、将探针(1-4)接触到裸芯的焊盘或触点上；

步骤c、用力挤压探针(1-4)与裸芯，使得在所有探针(1-4)具有不同弯曲程度的情况下，裸芯上所有待检测的焊盘或触点均有探针(1-4)接触；

步骤d、向裸芯写入测试程序，完成测试；

所述超高温工作环境是指工作温度在150摄氏度以上，探针(1-4)不再发生弹性形变的温度范围，该测试方法步骤如下：

步骤a、调整中间导板(1-2)，使探针(1-4)不发生弯曲；

步骤b、将探针(1-4)接触到裸芯的焊盘或触点上；

步骤c、将环境温度调整到超高温工作环境温度，使中部探针(1-4-2)与上部探针(1-4-1)和下部探针(1-4-3)之间由过渡配合转为间隙配合；

步骤d、用力挤压探针(1-4)与裸芯，使得所有探针(1-4)在不弯曲的情况下，裸芯上所有待检测的焊盘或触点均有探针(1-4)接触；

步骤e、向裸芯写入测试程序，完成测试；

所述宽温度范围工作环境下芯片测试方法在面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构上实现，所述面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构从上到下依次设置PCB板(3)、转接板(2)和复合探针头结构(1)，所述复合探针头结构(1)包括上导板(1-1)，中间导板(1-2)和下导板(1-3)，探针(1-4)从转接板(2)开始，穿过上导板(1-1)和中间导板(1-2)后，从下导板(1-3)伸出；其中，上导板(1-1)，中间导板(1-2)和下导板(1-3)由绝缘材料制成，探针(1-4)由金属导电材料制成；

所述探针(1-4)包括安装在上导板(1-1)的上部探针(1-4-1)，穿过中间导板(1-2)的中部探针(1-4-2)和安装在下导板(1-3)的下部探针(1-4-3)；

所述中间导板(1-2)上设置有通槽，中部探针(1-4-2)从通槽内穿过中间导板(1-2)，所述中间导板(1-2)能够在垂直探针(1-4)的平面内运动，确保探针(1-4)能够向同一方向弯曲且不短路；

各零部件受热膨胀特性为，上导板(1-1)，中间导板(1-2)和下导板(1-3)在100摄氏度到200摄氏度之间，体积随温度的变化小于相邻两个探针之间距离的1/10；上部探针(1-4-1)和下部探针(1-4-3)在100摄氏度到200摄氏度之间，具有热胀冷缩特性；中部探针(1-4-2)在100摄氏度到200摄氏度之间，具有热缩冷胀特性；

所述上部探针(1-4-1)的底部设置有孔，所述下部探针(1-4-3)的顶部设置有孔，中部探针(1-4-2)分别插入上部探针(1-4-1)的孔和下部探针(1-4-3)的孔中，形成两套孔轴配合结构，在100摄氏度以下，中部探针(1-4-2)与上部探针(1-4-1)和下部探针(1-4-3)之间为过渡配合；在100摄氏度向200摄氏度变化时，中部探针(1-4-2)与上部探针(1-4-1)和下部探针(1-4-3)之间由过渡配合转为间隙配合。