[发明专利]一种采样开关、模数转换器以及电子设备在审
| 申请号： | 202110051366.1 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112910464A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周述;李孝敬;胡眺;曾许英;刘鸣凯;胡万成 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 余菲 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采样 开关 转换器 以及 电子设备 | ||
1.一种采样开关，其特征在于，包括：采样单元、第一控制单元、第二控制单元、耦合电容单元、静态偏置电压单元；
所述静态偏置电压单元的输入端连接直流电源，所述静态偏置电压单元的输出端连接所述第一控制单元的输入端；
所述第一控制单元的输出端连接所述第二控制的输入端；
所述第一控制单元和所述第二控制单元的输出端分别连接外部时钟；
第一控制单元的输出端和所述第二控制单元的输入端连接所述采样单元的控制端；
所述静态偏置电压单元的输出端和所述采样单元输入端通过所述耦合电容单元连接；
所述采样单元的输入端连接电压输入端；
所述采样单元的输出端连接电压输出端。
2.根据权利要求1所述的采样开关，其特征在于，所述第一控制单元包括第一NMOS管，所述第二控制单元包括第二NMOS管；
所述第一NMOS管的源极分别连接所述第二NMOS管的漏极和所述采样单元的控制端。
3.根据权利要求2所述的采样开关，其特征在于，
所述第一NMOS管的漏极连接所述静态偏置电压单元的输出端；
所述第二NMOS管的源极连接接地端；
所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极分别连接外部时钟。
4.根据权利要求1所述的采样开关，其特征在于，所述第一控制单元包括第一PMOS管，所述第二控制单元包括第二PMOS管；
所述第一PMOS管的源极分别连接所述第二PMOS管的漏极和所述采样单元的控制端。
5.根据权利要求4所述的采样开关，其特征在于，
所述第一PMOS管的漏极连接所述静态偏置电压单元的输出端；
所述第二PMOS管的源极连接直流电源；
所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接外部时钟。
6.根据权利要求1所述的采样开关，其特征在于，所述采样单元为P型MOS管或N型MOS管。
7.根据权利要求1所述的采样开关，其特征在于，所述静态偏置电压单元为P型MOS管或N型MOS管。
8.根据权利要求1所述的采样开关，其特征在于，所述采样开关还包括采样电容单元，所述采样单元的输出端通过所述采样电容单元和接地端连接。
9.一种模数转换器，其特征在于，安装有如权利要求1-8任一项所述的采样开关。
10.一种电子设备，其特征在于，安装有如权利要求9所述的模数转换器。
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