[发明专利]管脚命名方法、寄存器激励源添加方法及电子装置在审
申请号: | 202110052163.4 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112818616A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 陈国安;熊正东;陈旺;颜承伟;李兴祥 | 申请(专利权)人: | 珠海泰芯半导体有限公司 |
主分类号: | G06F30/31 | 分类号: | G06F30/31;G06F30/32 |
代理公司: | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人: | 闫有幸 |
地址: | 519000 广东省珠海市高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管脚 命名 方法 寄存器 激励 添加 电子 装置 | ||
1.一种管脚命名方法,其特征在于,以三段式来命名,构成如下:
最顶层名字_有意义的变量名字_电源域名称位宽定义;
其中,所述最顶层名字为电路模块的名称,所述有意义的变量名字为表述寄存器功能的名字,所述电源域表述端口信号所在的电源域,所述位宽定义定义为最高位:最低位。
2.根据权利要求1所述的管脚命名方法,其特征在于,所述最顶层名字_有意义的变量名字在激励源中作为寄存器值的变量名字。
3.一种寄存器激励源添加方法,基于权利要求2所述的管脚命名方法,其特征在于,包括:
激励源配置过程:通过函数设计,按寄存器bus来设计bus激励源,bus激励源具有reg_value和power_value两个参数,reg_value填写寄存器控制数值,为十进制数,power_value填写电源电压值;bus激励源实现十进制数转为二进制数,并根据电源电压值信息,将二进制数翻译到地和电源值,0为地,1为电源电压值;
激励源连接过程:从已经调用电路模块中,获知该电路模块的控制信号的信息,包括控制信号位宽、电源域、电路模块的名称的信息,在电路图上指定的位置上自动为控制信号添加与位宽匹配的bus激励源,并对bus激励源的参数赋值,其中所述reg_value以参数传递方式赋值,所述power_value根据不同电源域赋值上指定的电压值。
4.根据权利要求3所述的寄存器激励源添加方法,其特征在于,所述bus激励源的核心电路tb_d2b_core采用verilog-A硬件描述语言实现,所述reg_value从上层电路中获取寄存器值,所述power_value从上层电路中获取电源电压值。
5.根据权利要求4所述的寄存器激励源添加方法,其特征在于,所述核心电路tb_d2b_core是一个32bit的激励源,通过逐次逼近法实现十进制的寄存器值转为二进制数,并根据电源电压值信息,将二进制数翻译到地和电源值,0为地,1为电源电压值。
6.根据权利要求5所述的寄存器激励源添加方法,其特征在于,根据位宽定义24个bus激励源,描述为tb_d2b_nbit,代表n位宽的bus激励源,n=1 23…24;bus激励源调用核心电路tb_d2b_core,并根据位数选择输出信号线的数目。
7.根据权利要求6所述的寄存器激励源添加方法,其特征在于,所有bus激励源的输出PIN以数组形式表示,bus激励源的图案形状使用同一设计蓝图。
8.根据权利要求3至6任意一项所述的寄存器激励源添加方法,其特征在于,通过设计一个bus激励源添加工具add_d2b_cell来实现所述激励源连接过程,具体地:
在EDA工具中首先建立一个库命名为txanaloglib,把所有寄存器激励源和所述核心电路tb_d2b_core作为txanaloglib的器件;所述核心电路tb_d2b_core包含的view分别为veriloga、symbol、HspiceD;其中veriloga为核心电路tb_d2b_core具体的行为描述,使用VerilogA硬件描述语言实现、HspiceD为HspiceD仿真器对应的view;所述tb_d2b_nbit包含的view分别为symbol、schematic,其中schematic为tb_d2b_nbit对应的电路原理图;所述核心电路add_d2b_cell默认从所述txanaloglib中调用tb_d2b_nbit单元;所述核心电路add_d2b_cell实现从被选instance中提取出输入PIN的信息,并根据输入PIN的信息自动添加寄存器激励源并生成连线、以变量形式表示寄存器值。
9.根据权利要求8所述的寄存器激励源添加方法,其特征在于,当支持多仿真器提取网表时,还包括添加对应的仿真器的view和电路仿真参数的步骤。
10.一种电子装置,其包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求3-9任意一项所述的寄存器激励源添加方法。
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