[发明专利]形成半导体元件的方法及其集成电路

权利要求书

1.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括：

在一硬光罩层的一第一区域上形成一图案化光阻；

在该硬光罩层中形成一线端延伸区域，该线端延伸区域自该硬光罩层的该第一区域的一末端侧向向外延伸，该形成该线端延伸区域包括改变该硬光罩层在该线端延伸区域的一物理性质。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

移除该图案化光阻；以及

通过移除该硬光罩层在该第一区域及该线端延伸区域外部的多个部分，以暴露一目标层的多个部分。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该线端延伸区域包括：

在该硬光罩层的该线端延伸区域植入一第一离子浓度的离子；以及

在该硬光罩层的该线端延伸区域外部植入一第二离子浓度的离子，该第二离子浓度大于该第一离子浓度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该在该硬光罩层中形成该线端延伸区域包括以一离子束辐射该硬光罩层，该离子束相对于与该硬光罩层正交的一方向具有一非零离子束角度。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该非零离子束角度小于85°。

6.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括：

在一目标层上形成一硬光罩层，该目标层设置于一基板与该硬光罩层之间；

在该硬光罩层的多个第一区域上形成一图案化光阻；

通过以多个离子束辐射该硬光罩层，自该些第一区域的末端向外延伸形成多个线端延伸区域，该些离子束中的每一者相对于与该硬光罩层正交的一方向具有一非零离子束角度，该图案化光阻阻断该些离子束中的至少一部分达到该些线端延伸区域；

移除该图案化光阻；

通过移除该硬光罩层中该些第一区域及该些线端延伸区域外部的多个部分，以暴露该目标层的多个部分；以及

通过移除该目标层暴露的该些部分，以在该目标层中形成一图案化特征。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该形成该些线端延伸区域的步骤包括：通过该辐射该硬光罩层，改变该硬光罩层的该些线端延伸区域中对一蚀刻气体的一选择性。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该移除该硬光罩层中该些第一区域及该些线端延伸区域外部的该些部分包括：将该硬光罩层暴露至该蚀刻气体，该蚀刻气体对该些线端延伸区域，相较于对该硬光罩层中该些第一区域及该些线端延伸区域外部的部分，具有一较低选择性。

9.一种集成电路，其特征在于，包括：

一基板；以及

该基板上的多个图案化特征，该些图案化特征中的每一者由一相同材料形成，

其中该些图案化特征中的一第一图案化特征的一末端与该些图案化特征中的一第二图案化特征的一末端之间的一距离小于25纳米。

10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，该第一图案化特征的该末端与该第二图案化特征的该末端之间的该距离小于10纳米。