[发明专利]半导体装置

说明书

提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。

本申请以日本专利申请2020-072762(申请日2020年4月15日)为基础，从本申请享有优先权。本申请通过参照本申请，从而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及半导体装置。

背景技术

在半导体装置中期望提高特性。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高特性的半导体装置。

根据本发明的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件、连接构件以及绝缘构件。所述第1电极包括第1电极区域、第2电极区域以及第3电极区域。从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向。从所述第1电极区域向所述第2电极区域的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向。所述第3电极区域处于所述第1电极区域与所述第2电极区域之间。所述第2电极包括第4电极区域、第5电极区域以及第6电极区域。从所述第1电极区域向所述第4电极区域的方向沿着所述第1方向。从所述第2电极区域向所述第5电极区域的方向沿着所述第1方向。从所述第3电极区域向所述第6电极区域的方向沿着所述第1方向。所述第1半导体构件包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域以及第5部分区域，为第1导电类型。所述第1部分区域在所述第1方向上处于所述第1电极区域与所述第4电极区域之间。所述第2部分区域在所述第1方向上处于所述第2电极区域与所述第5电极区域之间。所述第3部分区域在所述第1方向上处于所述第3电极区域与所述第6电极区域之间。所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第4电极区域之间。所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第5电极区域之间。所述第2半导体构件包括第1半导体区域以及第2半导体区域，为第2导电类型。所述第1半导体区域在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第4电极区域之间。所述第2半导体区域在所述第1方向上处于所述第5部分区域与所述第5电极区域之间。所述第3半导体构件包括第3半导体区域以及第4半导体区域，为所述第1导电类型。所述第3半导体区域在所述第1方向上处于所述第1半导体区域与所述第4电极区域之间。所述第4半导体区域在所述第1方向上处于所述第2半导体区域与所述第5电极区域之间。所述第3电极在所述第1方向上设置于所述第3部分区域与所述第6电极区域之间。所述第3电极的至少一部分处于所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间、以及所述第3半导体区域与所述第4半导体区域之间。所述第1导电构件的至少一部分在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第3电极之间，在所述第2方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间。所述连接构件与所述第1导电构件以及所述第2电极电连接。所述连接构件的至少一部分处于所述第1半导体区域与所述第3电极之间。所述绝缘构件包括第1部分、第2部分、第3部分、第4部分以及第5部分。所述第1部分处于所述连接构件与所述第3电极之间。所述第2部分处于所述第3电极与所述第2半导体区域之间。所述第3部分处于所述第1部分区域与所述第1导电构件之间。所述第4部分处于所述第1导电构件与所述第3电极之间。所述第5部分处于所述第1半导体区域与所述连接构件之间。所述第5部分与所述第1半导体区域以及所述连接构件相接。

根据上述结构的半导体装置，能够提供能够提高特性的半导体装置。

附图说明

图1是例示第1实施方式的半导体装置的示意的剖视图。

图2是例示第1实施方式的半导体装置的示意的立体图。

图3是例示第1实施方式的半导体装置的一部分的示意的剖视图。