[发明专利]铅直晶圆容器系统

说明书

在一些实施例中，提供一种铅直晶圆容器系统。铅直晶圆容器系统包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽被配置以容纳一晶圆的一晶边，而且，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。

技术领域

本公开的一些实施例涉及保持(hold)晶圆的铅直晶圆容器(vertical wafervessel)。

背景技术

随着电子产品的进展，半导体科技已广泛应用于制造存储器、中央处理器(central processing units，CPUs)、液晶显示器(liquid crystal displays，LCDs)、发光二极管(light emission diodes，LEDs)、激光二极管以及其他装置或芯片组。为了达成高集成度以及高速需求，已降低半导体集成电路的尺寸，并已提出各种材料以及技术，以达成高集成度以及高速需求，并克服制造期间的障碍。控制腔室内待加工的晶圆的条件是半导体制造科技的重要部分。

发明内容

在一些实施例中，提供一种铅直晶圆容器系统。铅直晶圆容器系统包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽被配置以容纳一晶圆的一晶边，而且，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。

在另一些实施例中，提供一种铅直晶圆容器。铅直晶圆容器包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽被配置以容纳晶圆，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端，而且，其中每一个杆包括最远离晶圆的一后方杆部、相邻于后方杆部的一中间杆部、相邻于中间杆部的一倾斜杆部、一倾斜指状部、包括多个指状物的一末端指状部。

在另一些实施例中，提供一种利用铅直晶圆容器的方法。利用铅直晶圆容器的方法包括将一晶圆插入一铅直晶圆容器中，其中铅直晶圆容器包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽配置以容纳一晶圆晶边，而且，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。利用铅直晶圆容器的方法还包括将铅直晶圆容器插入至一铅直热反应腔室中。利用铅直晶圆容器的方法进一步包括在铅直热反应腔室内加热铅直晶圆容器。

附图说明

当阅读所附图示时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，各种特征并不一定按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸以及几何形状，以做清楚的说明。

图1是根据一些实施例的铅直热反应腔室的概念图，其中通过圆形的铅直晶圆容器杆保持的晶圆可被加工。

图2绘示根据一些实施例的杆横越剖面的平面剖面图。

图3是根据一些实施例的与晶圆接触的三个指状物的平面图，且三个指状物来自各别的杆。

图4A是根据一些实施例的杆的详细立体图。

图4B是根据一些实施例的杆的立体图。

图4C是根据一些实施例的杆的立体图。

图4D是根据一些实施例的铅直晶圆容器的立体图。

图5是根据一些实施例的半导体炉(semiconductor furnace)的半导体炉功能模块的方框图。

图6是根据一些实施例的半导体炉制程的流程图。

其中，附图标记说明如下：

102：铅直热反应腔室