[发明专利]一种降低单晶铜丝电阻率的方法

权利要求书

1.一种降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将单晶铜丝在非氧化气体和保护气体的氛围下，以500-1000℃下退火；

S2、向单晶铜丝通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，而后停止通入含碳气体，并降温至室温后，得到覆盖石墨烯薄膜的单晶铜丝。

2.根据权利要求1所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

所述单晶铜丝放置于耐热管内的衬底托上，所述耐热管的外部围设有炉体，所述耐热管沿进气方向的两端分别设置进气管和出气管，且所述进气管的出口、出气管的进口均朝向单晶铜丝。

3.根据权利要求2所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

所述进气管的出口和出气管的进口分别搭设于衬底托的两端上。

4.根据权利要求2所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

所述耐热管中通过真空泵抽去空气，再通入非氧化气体和保护气体。

5.根据权利要求1所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

步骤S2中，控制降温速率为0.1℃/s到100℃/s。

6.根据权利要求1所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

步骤S1中，退火时间控制为30-60min。

7.根据权利要求1所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

所述含碳气体为一氧化碳、甲烷、乙炔、乙醇、苯、甲苯、环己烷、酞菁中的任一种或多种的组合。

8.根据权利要求1所述的降低单晶铜丝电阻率的方法，其特征在于：

所述单晶铜丝的纯度为4N或5N或6N或7N或8N。