[发明专利]一种带有死区时间控制的全GaN集成栅驱动电路

权利要求书

1.一种带有死区时间控制的全GaN集成栅驱动电路，其特征在于，包括第一与非门N1、第二与非门N4、第三与非门N5、第一非门N2、第二非门N3、第三非门N6、第四非门N7；其中，

第一与非门N1的第一输入端为驱动电路的第一输入端，第一与非门N1的第二输入端为驱动电路的第二输入端；第一与非门N1的输出端与第一非门N2的输入端连接；

第一非门N2的输出端分别与第二与非门N4的第一输入端、第二非门N3的输入端连接；

第二非门N3的输出端与第三与非门N5的第二输入端连接；

第二与非门N4的第二输入端与第三与非门N5的输出端连接；第二与非门N4的输出端分别与第三非门N6的输入端、第三与非门N5的第一输入端连接；第三与非门N5的输出端分别与第四非门N7的输入端、第二与非门N4的第二输入端连接；

第三非门N6的输出端为驱动电路的第一输出端；第四非门N7的输出端为驱动电路的第二输出端；

所述第一非门N2、第二非门N3、第三非门N6和第四非门N7结构相同，均包含第一晶体管E1、第二晶体管E2、第三晶体管E3、第四晶体管E4、第五晶体管E5、第六晶体管E6、第七晶体管E7、第八晶体管E8和第九晶体管E9、第一电阻R1、第一电容C1和第二电容C2；其中，

第二晶体管E2、第四晶体管E4、第七晶体管E7和第九晶体管E9的栅极均同非门的输入端连接，第一晶体管E1的栅极和漏极、第三晶体管E3的漏极、第五晶体管E5的栅极和漏极、第八晶体管E8的漏极均与5V高电平VDD连接；

第一晶体管E1的源极分别与第一电容C1的上级板和第一电阻R1的一端连接；第二晶体管E2的漏极与第一电阻R1的另一端连接，第二晶体管E2的源极接地；第三晶体管E3的栅极分别与第一电阻R1的另一端、第六晶体管E6的栅极连接，第三晶体管E3的源极分别与第一电容C1的下级板、第四晶体管E4的漏极连接；第四晶体管E4的源极接地；

第五晶体管E5的源极分别与第二电容C2的上级板、第六晶体管E6的漏极连接；第六晶体管E6的源极分别与第七晶体管E7的漏极、第八晶体管E8的栅极连接；第七晶体管E7的源极接地；第八晶体管E8的源极、第二电容C2的下级板、第九晶体管E9的漏极均与非门的输出端连接；第九晶体管E9的源极接地；

所述第一与非门N1、第二与非门N4和第三与非门N5结构相同，均包含第十晶体管E10、第十一晶体管E11、第十二晶体管E12、第十三晶体管E13、第十四晶体管E14、第十五晶体管E15、第十六晶体管E16、第十七晶体管E17、第十八晶体管E18、第十九晶体管E19、第二十晶体管E20、第二十一晶体管E21、第二十二晶体管E22、第三电容C3、第四电容C4、第二电阻R2；其中，

第十一晶体管E11、第十四晶体管E14、第十八晶体管E18和第二十一晶体管E21的栅极与与非门的第一输入端A连接；第十二晶体管E12、第十五晶体管E15、第十九晶体管E19和第二十二晶体管E22的栅极与与非门的第二输入端B连接；第十晶体管E10的栅极和漏极、第十三晶体管E13的漏极、第十六晶体管E16的栅极和漏极、第二十晶体管E20的漏极均与5V高电平VDD连接；第十二晶体管E12、第十五晶体管E15、第十九晶体管E19和第二十二晶体管E22的源极均接地；

第十晶体管E10的源极分别与第三电容C3的上级板、第二电阻R2的一端连接；第十一晶体管E11的漏极分别与第二电阻R2的另一端、第十三晶体管E13的栅极、第十七晶体管E17的栅极连接，第十一晶体管E11的源极与第十二晶体管E12的漏极连接；第十三晶体管E13的源极分别与第三电容C3的下级板、第十四晶体管E14的漏极连接；第十四晶体管E14的源极与第十五晶体管E15的漏极连接；

第十六晶体管E16的源极分别与第四电容C4的上级板、第十七晶体管E17的漏极连接；第十七晶体管E17的源极分别与第十八晶体管E18的漏极、第二十晶体管E20的栅极连接；第十八晶体管E18的源极与第十九晶体管E19的漏极连接；第二十晶体管E20的源极、第四电容C4的下级板和第二十一晶体管E21的漏极均与与非门的输出端连接；第二十一晶体管E21的源极与第二十二晶体管E22的漏极连接；

驱动电路的第一输入端与驱动电路的PWM输出信号VG连接，驱动电路的第二输入端与使能信号EN连接，驱动电路的第一输出端和第二输出端与半桥电路连接；

所述半桥电路包括第二十三晶体管M1和第二十四晶体管M2，第二十三晶体管M1的源极与第二十四晶体管M2的漏极连接，第二十三晶体管M1的栅极与驱动电路的第一输出端连接，第二十三晶体管M1的漏极与电源正极连接；第二十四晶体管M2的源极接地，第二十四晶体管M2 的栅极与驱动电路的第二输出端连接；

所述第一晶体管E1、第二晶体管E2、第三晶体管E3、第四晶体管E4、第五晶体管E5、第六晶体管E6、第七晶体管E7、第八晶体管E8、第九晶体管E9、第十晶体管E10、第十一晶体管E11、第十二晶体管E12、第十三晶体管E13、第十四晶体管E14、第十五晶体管E15、第十六晶体管E16、第十七晶体管E17、第十八晶体管E18、第十九晶体管E19、第二十晶体管E20、第二十一晶体管E21、第二十二晶体管E22、第二十三晶体管M1和第二十四晶体管M2均为增强型GaN晶体管。