[发明专利]存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

衬底；

底部电极，其上覆所述衬底；

顶部电极，其上覆所述底部电极；以及

数据存储结构，其设置于所述顶部电极与所述底部电极之间，其中所述数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中所述第一掺杂物与所述第二掺杂物不同。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述介电材料更包括与所述第一掺杂物及所述第二掺杂物不同的第三掺杂物。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述介电材料包括第一原子百分比的所述第一掺杂物、第二原子百分比的所述第二掺杂物以及第三原子百分比的所述第三掺杂物，其中所述第一原子百分比小于所述第二原子百分比，并且所述第二原子百分比小于所述第三原子百分比。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述数据存储结构包括数据存储层及多掺杂数据存储层，其中所述多掺杂数据存储层包括掺杂有所述第一掺杂物及所述第二掺杂物的所述介电材料，并且其中所述数据存储层包括未掺杂的金属氧化物。

5.一种集成芯片，包括：

衬底；以及

电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，其上覆所述衬底，其中所述RRAM单元包括顶部电极、底部电极以及设置于所述顶部电极与所述底部电极之间的数据存储结构，其中所述数据存储结构包括第一高κ介电材料及多个掺杂物，其中所述多个掺杂物包括彼此分别不同的第一掺杂物、第二掺杂物以及第三掺杂物。

6.根据权利要求5所述的集成芯片，其中所述数据存储结构包括第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层，其中所述第一数据存储层包括掺杂有所述第一掺杂物的所述第一高κ介电材料，所述第二数据存储层包括掺杂有所述第一掺杂物的第二高κ介电材料，并且所述第三数据存储层包括掺杂有所述第一掺杂物的第三高κ介电材料。

7.根据权利要求6所述的集成芯片，其中所述第二高κ介电材料包括所述第二掺杂物，并且所述第三高κ介电材料包括所述第三掺杂物。

8.根据权利要求5所述的集成芯片，其中所述数据存储结构包括数据存储层以及多掺杂数据存储层，其中所述多掺杂数据存储层包括掺杂有所述多个掺杂物的所述第一高κ介电材料，并且其中所述数据存储层包括第二高κ介电材料。

9.一种用于形成存储器器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方沉积底部电极；

在所述底部电极上方沉积数据存储结构，以使得所述数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物、第二掺杂物以及第三掺杂物的介电材料；

在所述数据存储结构上方沉积顶部电极；以及

对所述底部电极、所述数据存储结构以及所述顶部电极进行图案化工艺，由此在所述衬底上方形成存储器单元。

10.根据权利要求9所述的用于形成存储器器件的方法，其中所述数据存储结构包括所述第一掺杂物的第一原子百分比、所述第二掺杂物的第二原子百分比以及所述第三掺杂物的第三原子百分比，其中所述第一原子百分比小于所述第二原子百分比，并且所述第二原子百分比小于所述第三原子百分比。