[发明专利]一种芯片屏蔽与气密封装方法和封装结构

权利要求书

1.一种芯片屏蔽与气密封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：铝硅转接板制作步骤，于所述铝硅转接板电气互连的位置处加工若干第一通柱，所述第一通柱与所述铝硅转接板的缝隙中填充有玻璃浆料，于芯片埋置处加工若干芯片埋置槽，所述芯片埋置槽包括引线键合芯片埋置槽和/或倒装芯片埋置槽，所述倒装芯片埋置槽的底面加工有若干第二通柱，所述第二通柱与所述铝硅转接板的缝隙中填充有玻璃浆料；

S2：于所述引线键合芯片埋置槽内贴装引线键合芯片和/或于所述倒装芯片埋置槽内贴装倒装芯片，所述引线键合芯片通过键合线与所述第一通柱电连接，所述倒装芯片通过焊球焊接于所述第二通柱上；

S3：对多层LCP电路板中的第一层LCP基板和第二层LCP基板的两侧面刻蚀传输线图形，并对所述传输线图形镀上金属层形成金属化布线，所述第一层LCP基板与所述第二层LCP基板之间设置有第一连接层，所述第二层LCP基板的下表面设置有第二连接层；

S4：采用激光加工，于所述第一连接层、所述第二层LCP基板、所述第二连接层与所述引线键合芯片埋置槽位置对应处分别加工贯通所述第一连接层、所述第二层LCP基板、所述第二连接层的第一盖板腔、第二盖板腔、第三盖板腔，采用激光加工于所述第二连接层与所述倒装芯片埋置槽位置对应处加工贯通所述第二连接层的倒装芯片盖板腔，采用激光加工于电气互连处加工若干用于连接所述第一层LCP基板与所述铝硅转接板、所述第二层LCP基板与所述铝硅转接板的互连孔，进而对所述互连孔进行金属化形成互连导体；

S5：将所述第一层LCP基板、所述第一连接层、所述第二层LCP基板及所述第二连接层由上至下进行对位层压形成气密盖板，所述第一盖板腔、所述第二盖板腔及所述第三盖板腔对位形成引线键合芯片盖板腔；

S6：将所述气密盖板与所述铝硅转接板进行对位层压，所述引线键合芯片盖板腔与所述引线键合芯片对位，所述倒装芯片盖板腔与所述倒装芯片对位。

2.根据权利要求1所述的芯片屏蔽与气密封装方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

S11：提供铝硅基板；

S12：采用激光于所述铝硅基板上加工若干引线键合芯片埋置槽和倒装芯片埋置槽，采用激光将所述铝硅基板电气互连处外周的区域进行烧蚀，得到用于电气互连的所述第一通柱及环绕所述第一通柱的第一凹槽，采用激光于所述倒装芯片埋置槽的底面加工若干所述第二通柱及环绕所述第二通柱的第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部与所述铝硅基板相连；

S13：于所述第一凹槽和所述第二凹槽内填充玻璃浆料并进行烧结；

S14：对所述铝硅基板的下表面进行减薄抛光处理，直至所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部贯通所述铝硅基板，制得所述铝硅转接板。

3.根据权利要求1所述的芯片屏蔽与气密封装方法，其特征在于，在所述步骤S4中，激光加工采用波长为355nm的全固态紫外激光。

4.根据权利要求1所述的芯片屏蔽与气密封装方法，其特征在于，在所述步骤S5中层压时，具体为，在真空中进行层压，层压温度为180～220℃，压强为300psi。

5.根据权利要求1所述的芯片屏蔽与气密封装方法，其特征在于，在所述步骤S6中层压时，具体为，在真空中进行层压，层压温度为180～220℃，压强为300psi。