[发明专利]工件把持器、晶片卡盘以及制造半导体封装的方法在审
申请号: | 202110056762.3 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN113140497A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 翁正轩;曹智强;邱肇玮;裴浩然;陈威宇;林修任;谢静华;郑佳申 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工件 把持 晶片 卡盘 以及 制造 半导体 封装 方法 | ||
一种工件把持器包括卡盘本体及密封环。卡盘本体包括被配置成接纳工件的接纳表面及被配置成施加真空密封的至少一个真空端口。密封环环绕卡盘本体的侧表面。密封环的顶表面高于卡盘本体的接纳表面,且当在工件与卡盘本体之间施加真空密封时,工件抵靠密封环。
技术领域
本发明实施例涉及一种工件把持器、晶片卡盘以及制造半导体封装的方法。
背景技术
较大的晶片容纳更多的芯片且可降低每一芯片的成本。因此,现今在半导体制造工艺中普遍使用具有大的大小的晶片。尽管可使用具有大的大小的晶片来降低制造成本,然而较大的晶片会引入先前在较小的晶片中所未考虑到的新问题。一个关键问题是对于较大的晶片,晶片翘曲(wafer warpage)变得更为严重。
晶片翘曲造成许多非期望的制造缺陷。举例来说,晶片上的旋涂层(spun-onlayer)在中心处所具有的厚度可能大于在外边缘处所具有的厚度。在刻蚀工艺(etchingprocess)中,从晶片中心到边缘出现临界尺寸(critical dimension,CD)均匀性的问题至少部分源自于对晶片翘曲的不完美吸附(chucking)。此外,在光致光刻工艺(photolithographic process)中,光刻胶(photoresist,PR)层从晶片中心到外边缘的厚度均匀性是关键。在曝光期间,由晶片翘曲所引发的焦点漂移(focus drift)对于CD均匀性来说可能会造成毁灭性的影响。此外,已经观察到翘曲晶片中的残余应力导致晶片中的裂纹(crack)。
发明内容
本发明实施例是针对一种工件把持器、晶片卡盘以及制造半导体封装的方法,其可对翘曲的工件提供足够的支撑及真空力,且可提高后续要对工件执行的工艺的良率。
根据本公开的一些实施例,一种工件把持器包括卡盘本体、密封环以及支撑件。卡盘本体包括被配置成接纳工件的接纳表面及被配置成施加真空密封的至少一个真空端口。密封环环绕卡盘本体的最外侧表面。密封环的顶表面高于卡盘本体的接纳表面,且当在工件与卡盘本体之间施加真空密封时,工件抵靠密封环。支撑件设置在所述最外侧表面处且包括凹槽,其中所述密封环的至少一部分设置在所述凹槽内。
根据本公开的一些实施例,一种晶片卡盘包括卡盘本体及密封环。卡盘本体包括被配置成接纳晶片的接纳表面。密封环设置在卡盘本体的最外侧表面上且环绕卡盘本体的周围,其中密封环的顶表面高于卡盘本体的接纳表面,且从顶视图看,所述密封环与所述晶片的外边缘分离。
根据本公开的一些实施例,一种晶片把持方法包括以下步骤。在衬底上提供半导体器件。在所述衬底之上提供包封材料,以至少在侧向上包封所述半导体器件且形成重构晶片。将所述重构晶片贴合到胶带载体。从所述重构晶片脱离所述衬底。将所述重构晶片连同所述胶带载体提供至晶片卡盘上,其中所述晶片卡盘包括卡盘本体及环绕所述卡盘本体的周围的密封环,且所述密封环的顶表面高于所述卡盘本体的接纳表面。将所述胶带载体固定在所述卡盘本体外部,其中所述胶带载体抵靠所述密封环,且在所述卡盘本体、所述胶带载体及所述密封环之间形成有封闭空间。通过从所述封闭空间抽空气体以将所述重构晶片的周围拉向所述卡盘本体来形成真空密封。在所述晶片卡盘上处理所述重构晶片。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本公开的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1示出根据本公开一些示例性实施例的工件把持器的剖视图。
图2至图8示出根据本公开一些示例性实施例的半导体封装制造中的中间阶段的剖视图。
图9示出根据本公开一些示例性实施例的工件把持器的俯视图。
图10示出根据本公开一些示例性实施例的工件把持器的透视图。
图11A及图11B示出根据本公开一些示例性实施例的密封环的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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