[发明专利]一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构

说明书

本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。

技术领域

本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构。

背景技术

为了反映芯片工艺过程稳定情况，在光刻版制作时，增加工艺监控图形，提前预知器件电参数变化方向或失效。在晶圆生产过程中增加工艺监控图形是必不可少的，而欧姆孔链结构是接触电阻和欧姆孔刻蚀工艺的直接反映，欧姆孔电阻大小直接反映接触孔电阻的变化。

通常情况，欧姆孔链结构主要包含N型孔链和P型孔链两种结构，分别监控N型孔和P型孔欧姆接触。但对于VDMOS产品，其结构特殊，以N型VDMOS为例，器件设置中，源极引出孔包含P+体引出接触电阻、P+体欧姆接触电阻、N+源接触电阻和N+源欧姆接触电阻。工艺中只监控N型孔链和P型孔链两种结构是远远不够的，因为器件结构中的N+源欧姆孔接触电阻包含两个因素，其一是欧姆孔刻蚀后的接触电阻；其二是接触孔的硅为N+源欧姆接触电阻和P+体引出接触电阻中和后的欧姆孔接触浓度变化引起。

该现象在P型器件中反映的更为突出，在P型VDMOS产品研制初期，采用常规孔链监控结构，工艺过程监控数据与历史批次一致，但产品实际的导通电阻出现明显的离散和偏大，甚至超差问题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，能真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。

为了解决上述技术问题，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，包括形成于P型外延层上的N阱，所述N阱的上端面覆盖有钝化层；

所述N阱中形成有n个N+体区，每个N+体区间隔设置，每个N+体区的深度相同，n为不小于2的正整数；

每个N+体区的中间位置形成有一个P+源区，每个P+源区的深度相同，每个P+源区不完全覆盖对应的N+体区；

每个N+体区的上方开设有两个贯穿所述钝化层的接触孔，且每个接触孔均与该N+体区对应的P+源区交叠；

每个N+体区上的两个接触孔通过N+体区导通，第1个N+体区上的一个接触孔通过金属作为引出端，第1个N+体区上的另一个接触孔与第2个N+体区上的一个接触孔通过金属导通，第2个N+体区上的另一个接触孔与第3个N+体区上的一个接触孔通过金属导通，以此类推，第n-1个N+体区上的另一个接触孔与第n个N+体区上的一个接触孔通过金属导通，第n个N+体区上的另一个接触孔通过金属作为引出端。

进一步地，每个N+体区中的掺杂杂质为磷，每个P+源区中的掺杂杂质为硼。

进一步地，每个N+体区的结深为1～1.5μm，每个P+源区的结深为0.1～0.5μm。

一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，包括形成于N型外延层上的P阱，所述P阱的上端面覆盖有钝化层；

所述P阱中形成有n个P+体区，每个P+体区间隔设置，每个P+体区的深度相同，n为不小于2的正整数；

每个P+体区的中间位置形成有一个N+源区，每个N+源区的深度相同，每个N+源区不完全覆盖对应的P+体区；

每个P+体区的上方开设有两个贯穿所述钝化层的接触孔，且每个接触孔均与该P+体区对应的N+源区交叠；