[发明专利]电容器及DRAM的制造方法

说明书

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种电容器及DRAM的制造方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底的表面上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的牺牲模制层和支撑层，所述支撑层包括至少一层牺牲支撑层以及多层保留支撑层，其中，所述堆叠结构的顶部设置为第一保留支撑层；形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部；形成覆盖所述电容孔内表面的下电极，所述下电极连接所述电接触部。本实施例牺牲支撑层为可以被去除的氮化硅类物质，在下电极完成沉积后，牺牲支撑层被去除。同时其可以在沉积下电极过程中，充当支撑作用，使得下电极可以做的更高，提高了电容器的高宽比，进一步提高了电容器的容量。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种电容器及DRAM的制造方法。

背景技术

电容器是DRAM上的必要元件之一，随着DRAM的高集成度以及设计尺寸的变小，在有限的空间和高度下，增加电容器的面积变的日渐困难。举例来说，随着高宽比的逐渐增加，需要图案化的半导体器件会变的非常窄，如图1所示，电容器包括下电极以及由下自上依次层叠设置有氮化物阻挡层11'、下部牺牲模制层12'、中部支撑层13'、上部牺牲模制层14'、上部支撑层15'、氧化物掩模层16'，其中，中部支撑层13'连接于下电极的中部侧壁，上部支撑层15'连接于下电极的上部侧壁，下部牺牲模制层12'、上部牺牲模制层14'在后续工艺中需要去除，但是上述电容器依然无法满足高电容值的要求，所以为了提高电容器的电容值，亟需提供一种更高高宽比的电容器。

发明内容

本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种电容器及DRAM的制造方法，以解决上述至少一个技术问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供了一种电容器的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成电接触部；

在所述半导体衬底的表面上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的牺牲模制层和支撑层，所述支撑层包括至少一层牺牲支撑层以及多层保留支撑层，其中，所述堆叠结构的顶部设置有第一保留支撑层；

形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部；

形成覆盖所述电容孔内表面的下电极，所述下电极连接所述电接触部；

通过刻蚀保留支撑层形成支撑结构；

去除牺牲模制层和牺牲支撑层；

在所述下电极上依次形成电容介质和上电极。

本申请第二方面提供了一种DRAM，包括电容器，所述电容器由如上所述的电容器制造方法制造得到。

与现有技术相比，本实施例的牺牲支撑层为可以被去除的氮化硅类合物，在下电极完成沉积后，牺牲支撑层可以和牺牲模制层同时被去除，最后形成顶部保留支撑图案与中部保留支撑图案构成的支撑结构。同时牺牲支撑层还可以在沉积下电极过程中，充当支撑作用，使得下电极可以做的更高，提高了电容器的高宽比，进一步提高了电容器的容量。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了现有技术中支撑层和牺牲模制层层叠设置的结构示意图；

图2示出了本发明实施例中形成下电极后的结构示意图；

图3示出了图2支撑层和牺牲模制层层叠设置的结构示意图；

图4示出了将牺牲支撑层置于顶部保留支撑层、中部保留支撑层之间的结构示意图；