[发明专利]一种导电柱的激光形成方法在审
申请号: | 202110058795.1 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN112735957A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 陈洁 | 申请(专利权)人: | 福唐激光(苏州)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 激光 形成 方法 | ||
本发明提供了一种导电柱的激光形成方法,其利用激光对导电柱的第二端进行局部退火工艺,以形成具有保形功能和防止漏电功能的金属硅化物层,然后再进行刻蚀形成露头结构。后续在导电柱的第二端形成焊球时,该金属硅化物的硅材料进入焊球中可以保证焊球的接合可靠性且能够抑制氧化。
技术领域
本发明涉及半导体工件封装测试领域,具体为一种导电柱的激光形成方法。
背景技术
在中介板或转接板的制造中,导电柱的形成需要设置露头结构,其目的是为了电连接的可靠性。然而,导电柱从所述中介板或转接板的表面突出的露头结构容易在刻蚀过程中以及以后,产生变形,并且还容易产生导电柱的材料向周围扩散导致漏电的问题。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种导电柱的激光形成方法,包括如下步骤:
(1)提供一硅材料的中介板,所述中介板具有相对的第一表面和第二表面;
(2)在所述中介板中形成多个导电柱,所述多个导电柱的第一端从所述第一表面露出,所述多个导电柱具有第一孔径;
(3)在所述第一表面上形成电连接所述多个导电柱的再分布层;
(4)翻转所述中介板,并研磨所述第二表面,以使得所述多个导电柱的第二端露出;
(5)利用激光束分别照射所述多个导电柱的第二端,其中,所述激光束的直径大于所述第一孔径,以在所述多个导电柱的第二端的侧壁上形成金属硅化物层;
(6)继续蚀刻所述第二表面,以使得所述多个导电柱的第二端从所述第二表面上突出形成露头部分;
(7)在所述多个导电柱的第二端上形成多个焊球并进行回流,以使得所述焊球中至少包括硅。
根据本发明的实施例,在所述步骤(6)和步骤(7)之间还包括:在所述第二表面上覆盖钝化层,并在所述钝化层中形成露出所述多个导电柱的第二端的多个开口。
根据本发明的实施例,其中,所述多个开口完全露出所述露头部分。
根据本发明的实施例,在步骤(6)中,形成露头部分时,位于所述露头部分的下方的导电柱的侧壁上还具有部分所述金属硅化物层。
根据本发明的实施例,所述激光束在所述第二表面上的光斑面积是所述导电柱在所述第二表面上的投影面积的1.1-1.2倍。
根据本发明的实施例,所述导电柱通过电镀方式形成,且包括电镀铜、电镀镍等。
根据本发明的实施例,所述再分布层包括层叠的多层布线层和多层介质层。
本发明的优点如下:本发明利用激光对导电柱的第二端进行局部退火工艺,以形成具有保形功能和防止漏电功能的金属硅化物层,然后再进行刻蚀形成露头结构。后续在导电柱的第二端形成焊球时,该金属硅化物的硅材料进入焊球中可以保证焊球的接合可靠性且能够抑制氧化。
附图说明
图1-7为本发明的导电柱的激光形成方法的示意图。
具体实施方式
本发明的目的在于提供一种兼具保形功能和防止漏电功能的导电柱的激光形成方法。
参加图1-7,本发明的导电柱的激光形成方法,包括如下步骤:
参见图1,提供一硅材料的中介板1,所述中介板1具有相对的第一表面和第二表面。该硅材料可以是多晶硅或者单晶硅材料,且该中介板1可以具有1-5mm的厚度。该中介板1作为转接板应当具有一定的刚性。
接着,在所述中介板1中形成多个导电柱2,所述多个导电柱2的第一端从所述第一表面露出,所述多个导电柱2具有第一孔径。多个导电柱2可以通过在所述中介板1的第一表面进行激光烧蚀形成盲孔并电镀填充金属材料形成,该金属材料优选为电镀镍或电镀铜等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造