[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一金属层，并采用第一道光罩工艺在所述第一金属层形成栅电极、扫描线和公共电极金属线；

在所述衬底基板上形成第一绝缘层、半导体层、第二金属层，并采用第二道光罩工艺在所述半导体层和第二金属层形成硅岛、数据线、源电极和漏电极，其中，所述硅岛设于所述栅电极上方，所述源电极、所述漏电极分别硅岛两端；

在所述衬底基板进一步形成第二绝缘层，且采用第三道光罩工艺在所述第二绝缘层上形成过孔，其中，所述过孔设置在所述漏电极上方；

在所述衬底基板上进一步形成透明导电层，且采用第四道光罩工艺在所述透明导电层形成像素电极和公共电极，其中，所述像素电极通过所述过孔与漏电极连接，所述公共电极与所述公共电极金属线连接。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用第一道光罩工艺在所述第一金属层形成栅电极、扫描线和公共电极金属线，包括：

通过第一道光罩工艺的第一光罩，在所述第一金属层上依次进行曝光、显影、湿刻，形成栅电极、扫描线和公共电极金属线；

其中，所述扫描线与所述栅电极连接，所述扫描线不与所述公共电极金属连接。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用第二道光罩工艺在所述半导体层和第二金属层形成硅岛、数据线、源电极和漏电极，包括：

在所述第二金属层上涂布光刻胶；

通过第二道光罩工艺的第二光罩，在所述第二金属层上依次进行一次曝光、两次蚀刻、灰化处理，两次干刻，形成硅岛、数据线、源电极和漏电极。

4.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二光罩为半灰阶光罩或半色调掩膜，所述第二光罩包括依次的第一全透区、第一不透区、第一半透区、第二不透区、第二全透区、第三不透区、第三全透区。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用第四道光罩工艺在所述透明导电层形成像素电极和公共电极，包括：

通过第四道光罩工艺的第四光罩，在所述透明导电层上依次进行曝光、显影、湿刻，形成像素电极和公共电极；

其中，所述像素电极设于公共电极内侧，且所述像素电极不与公共电极连接；所述像素电极、公共电极的设置方式为单畴或多畴。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、透明导电层通过物理气相沉积方法沉积形成。

7.根据权利要求6述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层至少包括钼、铜、铝、钼铝、钼钛、钼铌中的一种或多种，所述透明导电层至少包括ITO、In2O3、SnO2、ZnO、CdO中一种或多种。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层通过化学气相沉积方法沉积形成。

9.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层为氮化硅或二氧化硅，半导体层为非晶硅。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板由权利要求1-8任一项所述的一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法制成，包括：

衬底基板；

形成在所述衬底基板上的栅电极、扫描线、和公共电极金属线；

形成在所述栅电极、扫描线、和公共电极金属线上表面的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层的源电极、漏电极、数据线；

形成在所述源电极、漏电极、数据线上表面的第二绝缘层；

形成在所述第二绝缘层上的像素电极、公共电极；

其中，所述源电极、漏电极设于所述栅电极上方两端形成三极管三极；所述栅电极与扫描线连接，所述公共电极金属线与所述公共电极连接，所述像素电极通过设于所述第二绝缘层的过孔与漏电极连接，所述源电极与所述数据线连接，所述像素电极设于公共电极内侧，且所述像素电极不与公共电极连接。