[发明专利]一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法

权利要求书

1.一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，所述平板探测器包括依次电连接的感光层、TFT阵列及控制电路板，所述TFT阵列为若干像素组成的矩阵，所述像素包括像素电容、TFT开关、门控线和数据线，所述门控线和数据线分别与控制电路板电连接；其特征在于，包括以下步骤：

S1：设置AEC阈值P_threshold和ROI区域；

S2：X射线管组件和平板探测器进入准备状态，使门控线驱动TFT开关接通，对TFT阵列中的所有像素电容和数据线复位后，再驱动TFT开关全部断开；

S3：调整门控线电压，以驱使TFT开关打开一定比例，同时打开数据线读取整列数据作为参考值P_ref；

S4：控制X射线管组件发出X射线，当X射线到达感光层时，感光层吸收X射线转换成电荷并存储到像素电容中；

S5：在X射线持续产生的过程中，调整门控线电压使TFT开关打开一定比例，同时打开数据线实时读取整列数据作为数据值P_i；

S6：调整门控线电压以使得TFT开关关闭，同时对数据线进行复位；

S7：重复步骤S5和S6，并计算每次循环中P_i与P_ref的差值P_delta，将若干次P_delta进行累加，根据累加值与设定阈值P_threshold的关系，由控制电路板在达到结束条件时发送曝光中止命令；

S8：控制X射线曝光结束，控制电路板通过门控线逐行接通TFT开关，同时通过数据线逐行读出像素电容内存储的电荷，形成数字图像。

2.根据权利要求1所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，在步骤S7中，设累加值为P_sum，判断P_sum是否达到设定的阈值P_threshold；如果没有达到阈值，即P_sumP_threshold则继续循环；如果P_sum达到设定的阈值则判定达到结束条件，即P_sum≥P_threshold则由控制电路板发送曝光中止命令。

3.根据权利要求1所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，在步骤S7中，

先假设每个S5～S7的循环中采集一次P_delta的时间为t；

设定采集前m次循环得到累加值P_sum_m，消耗时间为m*t；

再继续进行n次循环采集，得到累加的P_sum_m+n，消耗时间为n*t；

计算剩余应该持续的曝光时间T：

T＝(P_threshold-P_sum_m+n)/(P_sum_m+n-P_sum_m)*n*t；

在T时间后控制曝光结束。

4.根据权利要求1所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，在步骤S3中，多次重复步骤S3的数据采集流程，取多次采集到的数据的平均值作为参考值。

5.根据权利要求1所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，在步骤S3和S5中，TFT开关的打开比例范围为0～50％。

6.根据权利要求5所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，在步骤S3和S5中，打开的TFT开关为选定的ROI区域对应的行，打开的数据线为选定的ROI区域对应的列。

7.根据权利要求5所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，在步骤S3和S5中，控制TFT开关的打开比例相同。

8.根据权利要求1所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，所述感光层为闪烁荧光体，至少包括碘化铯、硫氧化钆中的一种；或者，所述感光层为光电半导体，至少包括非晶硒、碘化铅、钙钛矿类材料中一种。

9.根据权利要求8所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，当所述感光层为闪烁荧光体时，所述像素电容为光电二极管的结电容。

10.根据权利要求8所述的一种平板探测器实现自动曝光控制功能的方法，其特征在于，当所述感光层为光电半导体时，所述像素电容为单独的存储电容，所述存储电容的电容上级为像素电极。