[发明专利]形成半导体结构的方法和半导体结构

权利要求书

1.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，包含：

提供一绝缘体上半导体基板，其包括一处理基板、一绝缘层、和一顶部半导体层；

利用至少一个第一扩散阻障层覆盖该顶部半导体层的一第一区域，并且物理性暴露该顶部半导体层的一第二区域；

减薄该顶部半导体层的该第二区域，经由执行一氧化制程其氧化该顶部半导体层的该第二区域的一表面部分，同时该至少一个第一扩散阻障层阻碍该顶部半导体层的该第一区域的氧化，其中在该氧化制程之后，该顶部半导体层的该第二区域具有比该顶部半导体层的一第一区域薄的一厚度；

形成多个浅沟槽其穿过该顶部半导体层，其中该顶部半导体层被划分为多个分离的部分其包含：从该顶部半导体层的该第一区域图案化的一第一基体区域、和从该顶部半导体层的该第二区域图案化的一第二基体区域；

形成一浅沟槽隔离结构，经由利用一介电填充材料填充所述多个浅沟槽并且凹陷化该介电填充材料的多个的部分，其中该浅沟槽隔离结构包含一第一浅沟槽隔离部分，其位在介于该第一基体区域和该第二基体区域之间并且具有一非平面的倾斜的顶表面；以及

形成一第一绝缘体上半导体场效晶体管其包括该第一基体区域、和一第二绝缘体上半导体场效晶体管其包括该第二基体区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在该顶部半导体层的一顶表面上形成一第一半导体氧化物层；

在该第一半导体氧化物层上方形成一第一扩散阻障层；以及

从高于该顶部半导体层的该第二区域移除该第一扩散阻障层和第一半导体氧化物层的多个部分，以提供所述至少一个第一扩散阻障层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含形成一平坦化终止介电层其在该至少一个第一扩散阻障层上方和在一半导体氧化物部分上方，该半导体氧化物经由该顶部半导体层的该第二区域的该表面部分的氧化而形成，在减薄该顶部半导体层的该第二区域之后，其中所述多个浅沟槽穿过该平坦化终止介电层而形成，并且该介电填充材料沉积在该平坦化终止介电层上方。

4.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，包含：

提供一绝缘体上半导体基板，其包括一处理基板、一绝缘层、和一顶部半导体层；

形成一浅沟槽隔离结构其穿过该顶部半导体层，其中该浅沟槽隔离结构侧向地围绕该顶部半导体层的多个图案化的部分其包含一第一基体区域和一第二基体区域；

减薄该第二基体区域，经由垂直地凹陷化该第二基体区域，同时利用一第一蚀刻遮罩层保护该第一基体区域；以及

形成一第一绝缘体上半导体场效晶体管其包括该第一基体区域、和一第二绝缘体上场效晶体管其包括该第二基体区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含：

在该顶部半导体层的一顶表面上形成一硅氧化物垫层；

在该硅氧化物垫层上方形成一硅氮化物垫层；以及

形成多个浅沟槽其穿过该硅氮化物垫层、该硅氧化物垫层、和该顶部半导体层，其中所述浅沟槽隔离结构形成在所述多个浅沟槽中。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含：

在该第一基体区域和该第二基体区域的多个顶表面上形成该第一氧化物层；以及

移除覆盖该第二基体区域的该第一半导体氧化物层的一第二区段而不移除覆盖该第一基体区域的该第一半导体氧化物层的一第一区段。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中：

该顶部半导体层的所述多个图案化的部分包含一第三基体区域其被该浅沟槽隔离结构侧向地围绕；以及

该方法还包含减薄该第三基体区域，经由垂直地凹陷化该第三基体区域同时利用一第二蚀刻遮罩层保护该第一基体区域和该第二基体区域。