[发明专利]发光二极管外延片制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一外延层，所述外延层层叠在破损的第一衬底上，所述第一衬底的破损面积小于所述第一衬底整体面积的50％，所述第一衬底具有至少两个与曝光机对应的标记点，且所述至少两个标记点之间的最大距离为39～81mm；

在第二衬底的表面涂覆一层粘连光刻胶，所述粘连光刻胶的表面平行于所述第二衬底的表面，且使用所述粘连光刻胶填充所述第一衬底的破损部分；

将所述第一衬底远离所述外延层的表面粘连在所述粘连光刻胶上，所述第二衬底的规格与所述第一衬底破损之前的规格相同，所述第一衬底与所述第二衬底相互平行，且所述第一衬底在所述第二衬底的表面上的投影位于所述第二衬底的表面内；

在所述外延层远离所述第一衬底的表面涂覆光刻胶以制备图案；

分离所述第一衬底与所述第二衬底。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在所述外延层远离所述第一衬底的表面涂覆光刻胶以制备图案，包括：

对所述外延层上的光刻胶依次进行烘烤、曝光、显影及刻蚀的操作，以在所述外延层上制备图案。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法，还包括：

使用喷气枪分离所述第一衬底与所述第二衬底之间经烘烤固化的粘连光刻胶。

4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述喷气枪的喷嘴的轴线平行于所述第一衬底的表面。

5.根据权利要求3所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法，还包括：

使用所述喷气枪向所述第一衬底与所述第二衬底之间的粘连光刻胶喷气，直至所述第一衬底与所述粘连光刻胶之间出现缝隙；

分离所述第一衬底与所述粘连光刻胶。

6.根据权利要求1～5任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，将所述第一衬底远离所述外延层的表面连接在第二衬底的表面上，还包括：

使用双面胶粘连所述第一衬底远离所述外延层的表面与所述第二衬底，所述双面胶的失效温度低于或等于粘连光刻胶的烘烤温度。

7.根据权利要求1～5任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法，还包括：

提供砷化镓衬底；

在所述砷化镓衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠在所述砷化镓衬底上的GaAs层、InGaP层、GaAs层、AlGaInp层、n-AlInP层、MQW层、P-AlInP层及GaP层；

将所述外延层转移至所述第一衬底上，所述第一衬底为蓝宝石衬底。