[发明专利]一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗

权利要求书

1.一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：由具有方格或圆环外形的介质-超薄掺杂金属-介质网栅单元，按二维正交排列方式密接排布构成网栅阵列加载于光学窗透明基片表面；介质-超薄掺杂金属-介质由依次层叠的上层介质、中间超薄掺杂金属和下层介质构成；

所述超薄掺杂金属由两种或两种以上金属材料通过共沉积的方式形成，其中主要金属元素的原子浓度占比大于等于85％，掺杂金属元素的总原子浓度占比小于等于15％；超薄掺杂金属的厚度小于等于30nm，并且大于等于4nm；

所述超薄掺杂金属中主要金属元素为银、铜或者金，掺杂金属元素可以是铝、钛、镍、铬、钽、锗，或者是上述元素中任意两种或两种以上混合；

所述方格或者圆环网栅单元周期小于屏蔽微波波段范围中最高频率对应波长的0.5倍；方格或者圆环网栅线宽在纳米至微米量级。

2.根据权利要求1所述的一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：其中超薄掺杂金属制备采用共沉积方式，在主要金属沉积过程中按一定速率不断掺入少量掺杂金属，可采用电子束蒸发镀膜、热蒸发镀膜或者直流、磁控溅射镀膜等沉积方式；其中通过控制主要金属与掺杂金属电子束功率或者溅射功率改变两者的原子沉积速率比，最终控制超薄掺杂金属薄膜中主要和掺杂金属元素的原子浓度比例。

3.根据权利要求1所述的一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：其中超薄掺杂金属的表面粗糙度小于等于其薄膜厚度的30％。

4.根据权利要求1所述的一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：其中超薄掺杂金属的薄膜方阻小于等于80ohm/square，可见光预设波段透光率大于等于40％。

5.根据权利要求1所述的一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：超薄掺杂金属/介质中每层介质的厚度小于等于100nm，大于等于5nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于介质-超薄掺杂金属-介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗，其特征在于：超薄掺杂金属/介质中介质的材料选择可以为氧化铟锡、二氧化钛、氧化锌、氧化铝锌、氧化铝、硫化锌、氟化镁、二氧化硅、氧化铊、三氧化钨、二氧化钒、五氧化二钒其中任意一种。