[发明专利]一种光纤氘气处理用氘气浓度与处理时间的组合制定方法

说明书

一种光纤氘气处理用氘气浓度与处理时间的组合制定方法，所述光纤氘气处理用氘气浓度与处理时间的组合制定方法包括以下步骤：确定光纤综合附加衰减值；确定光纤综合附加衰减值与氘气浓度及对所述光纤的氘气处理时间的组合关系：Z（x,y）=a₀+a₁x+a₂y+a₃x²+a₄xy+a₅y²；确定氘气浓度与对所述光纤的氘气处理时间的组合关系：a₀+a₁x+a₂y+a₃x²+a₄xy+a₅y²=0。本发明通过使用最小二乘法的方式确定氘气浓度与对所述光纤的氘气处理时间的最优组合关系，以便实现光纤最小的氢损耗，减小每次确定氘气浓度与光纤的氘气处理时间组合关系的成本。

技术领域

本发明涉及光纤氘气处理技术领域，尤其是涉及光纤氘气处理用氘气浓度与处理时间的组合制定方法。

背景技术

在光纤预制棒生产制造和光纤拉制的过程中，会产生许多的化学键缺陷，其中的Si-O自由基在含氢环境中与氢结合生成Si-OH，Si-OH在1383nm处形成的吸收峰会永久残留在光纤中。氘气处理光纤是光纤制造的最后工序，其作用机理是使氘与Si-O结合而形成Si—OD，OD键比OH键更稳定，可以阻止后续氢与Si-O的结合，使得光纤可以经受的住长时间的含氢环境的侵蚀。综上，氘气处理的目的是消除光纤中存在的化学键缺陷，更确切地讲消除光纤在1383nm的氢损，即提高光纤的抗氢损能力。

对光纤进行氘气处理时，氘气的浓度和处理时间都必须要满足工艺设定的要求。若氘气的浓度过高或处理时间过长，则会造成光纤的过氘，不仅使光纤的品级降低，也是对氘气的浪费，增加成本。若氘气的浓度过低或者处理时间过短，则会造成光纤的欠氘，光纤内部缺陷无法完全被氘结合，难以经受长时间含氢环境的侵蚀，属于不合格的产品。

在实际生产过程中，需要对氘气浓度、处理时间等变量进行多次试验，调参时无定量依据参考，需反复论证，因此光纤氘处理配方制定周期长，试验过程中易产生残次品，造成损失，且符合标准的方案无法确定是否为最优方案。若是依据实际生产情况更改配方时，则需再次进行多次试验，效率低下。

因此，需要提供一种新的技术方案解决上述技术问题。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种有助于快速、准确地确定最优的氘气浓度与处理时间组合的制定方法，以节省生产成本和提高产品质量，并且，该制定方法精度高，且具有可重复操作性。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种光纤氘气处理用氘气浓度与处理时间的组合制定方法，所述光纤氘气处理用氘气浓度与处理时间的组合制定方法包括以下步骤：

确定光纤综合附加衰减值；

确定光纤综合附加衰减值与氘气浓度及对所述光纤的氘气处理时间的组合关系：

Z（x,y）=a₀+a₁x+a₂y+a₃x²+a₄xy+a₅y²；

确定氘气浓度与对所述光纤的氘气处理时间的组合关系：

a₀+a₁x+a₂y+a₃x²+a₄xy+a₅y²=0，

其中，x为氘气浓度，y为氘气处理时间。

优选地，所述确定光纤综合附加衰减值包括以下步骤：

确定光纤在不同波长下的综合附加衰减值：