[发明专利]半导体器件处理方法有效
| 申请号： | 202110061590.9 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112864013B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张健 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 处理 方法 | ||
1.一种半导体器件处理方法，其特征在于，包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；
在所述非蚀刻面上形成保护层；
将所述半导体器件置于承载装置上，使所述待蚀刻面朝上，并将所述半导体器件的边缘夹设于多个插销之间；
旋转所述承载装置，并向所述待蚀刻面喷洒蚀刻液，对所述待蚀刻面蚀刻；
去除所述保护层；
其中，所述保护层不溶于所述蚀刻液。
2.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层为多晶硅膜。
3.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层为非晶硅膜。
4.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5～15nm。
5.根据权利要求4所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层通过等离子体增强化学气相沉积形成。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述去除所述保护层包括：采用等离子体工艺进行蚀刻。
8.根据权利要求7所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述等离子体工艺采用的蚀刻气体为氯气。
9.根据权利要求7所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述等离子体工艺中采用的蚀刻气体为氯气和氧气的混合气体。
10.根据权利要求9所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述氧气和所述氯气的体积比为0～1：10。
11.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述蚀刻液为40％～49％的氢氟酸溶液。
12.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，在所述半导体器件的非蚀刻面上形成保护层之前，在所述半导体器件的非蚀刻面上形成一层氧化物层。
13.根据权利要求12所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅层。
14.根据权利要求12或13所述的半导体器件处理方法，其特征在于，在去除所述保护层后，利用化学抛光研磨去除所述氧化物层。
15.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述承载装置为承载盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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