[发明专利]显示装置

说明书

本发明公开一种显示装置，包括一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第一电容电极。第一晶体管设置于基底之上，并包括一第一半导体层以及一第一栅极电极。第一栅极电极位于第一半导体层之上。第二晶体管设置于基底之上，并包括一第二半导体层。第一电容电极位于第一半导体层之上。第一电容电极在基底的垂直方向上和第一栅极电极重叠。第一半导体层包括硅半导体层。第二半导体层包括氧化半导体层。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201710071011.2，申请日：2017年02月09日，发明名称：显示装置)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，特别是涉及一种显示装置的半导体结构。

背景技术

由于平面显示器具有体积薄、重量轻及低幅射的优点，近年来逐渐被广泛使用。显示器中的薄膜晶体管结构，可以是具有高载流子移动率特性的多晶硅薄膜晶体管，或者是具有低漏电特性的金属氧化物薄膜晶体管，目前的显示器仍无法结合该两种晶体管，亦无相关的电路设计。

发明内容

本发明提供一种显示装置，包括一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第一电容电极。第一晶体管设置于基底之上，并包括一第一半导体层以及一第一栅极电极。第一栅极电极位于第一半导体层之上。第二晶体管设置于基底之上，并包括一第二半导体层。第一电容电极位于第一半导体层之上。第一电容电极在基底的垂直方向上和第一栅极电极重叠。第一半导体层包括硅半导体层。第二半导体层包括氧化半导体层。

本发明另提供一种显示装置，包括一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第一电容电极。第一晶体管设置于基底之上，并包括一第一半导体层、一第一栅极电极以及一第一栅极绝缘层。第一半导体层包括氧化半导体层。第一栅极电极和第一半导体层重叠。第一栅极绝缘层设置于第一半导体层与第一栅极电极之间。第二晶体管设置于基底之上，并包括一第二半导体层以及一第二栅极电极。第二半导体层包括硅半导体层。第二栅极电极和第二半导体层重叠。第一电容电极在基底的垂直方向上和第二栅极电极重叠。第一栅极绝缘层位于第一电容电极之上。

为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明的显示装置的示意图；

图2A为本发明的像素的一可能实施例的示意图；

图2B为本发明的像素的另一可能实施例的示意图；

图2C为本发明的像素的另一可能实施例的示意图；

图2D为本发明的像素的另一示意图；

图3A为本发明的像素的另一可能实施例的示意图；

图3B为本发明的像素的另一可能实施例的示意图；

图3C为本发明的像素的另一可能实施例的示意图；

图3D为本发明的像素的另一可能实施例的示意图；

图4A为本发明的像素的半导体结构示意图；

图4B为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图4C为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图4D为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图5为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图6为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图7为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图8A为本发明的像素的另一半导体结构示意图；

图8B为本发明的像素的另一半导体结构示意图；