[发明专利]存储器三维封装方法及结构

权利要求书

1.一种存储器三维封装方法，其特征在于，包括：

在载片上形成第一重新布线层；

在所述第一重新布线层上附连第一存储芯片；

在所述第一存储芯片上附连第二存储芯片；

形成覆盖所述载片、所述第一存储芯片及所述第二存储芯片的塑封层；

在所述塑封层上形成第二重新布线层；

在所述第二重新布线层上附连第三存储芯片；

去掉所述载片，在所述第一重新布线层上附连第四存储芯片。

2.如权利要求1所述的存储器三维封装方法，其特征在于，还包括：

在所述第一重新布线层上形成第一电镀铜柱，所述第一电镀铜柱与所述第一重新布线层电连接；

所述第一电镀铜柱能够通过所述第一重新布线层与所述第一存储芯片和第四存储芯片进行电连接；

所述第一电镀铜柱能够通过所述第二重新布线层与所述第二存储芯片和第三存储芯片进行电连接。

3.如权利要求1所述的存储器三维封装方法，其特征在于，还包括：

在所述第一存储芯片上形成粘胶层，所述第二存储芯片通过粘胶层与所述第一存储芯片粘接在一起；

所述第一存储芯片与所述第二存储芯片背靠背的布置。

4.如权利要求2所述的存储器三维封装方法，其特征在于，还包括：

在所述第二存储芯片上形成第二电镀铜柱，所述第二电镀铜柱的长度小于所述第一电镀铜柱的长度；

所述第二电镀铜柱为第二存储芯片本体上的焊点，或形成在第二存储芯片本体焊点上的焊柱；

所述第二存储芯片能够通过所述第二电镀铜柱与所述第二重新布线层、所述第三存储芯片、所述第一电镀铜柱、所述第一重新布线层、所述第一存储芯片和所述第四存储芯片中的一个或多个进行电连接。

5.如权利要求4所述的存储器三维封装方法，其特征在于，还包括：

形成所述塑封层后，对所述塑封层进行减薄，以使所述第一电镀铜柱及所述第二电镀铜柱由所述塑封层中暴露出；

在所述第一电镀铜柱上形成所述第二重新布线层，以使所述第二重新布线层能够与所述第一电镀铜柱电连接；和/或

在所述第二电镀铜柱上形成所述第二重新布线层，以使所述第二重新布线层能够与所述第二电镀铜柱电连接。

6.如权利要求4所述的存储器三维封装方法，其特征在于，还包括：所述第三存储芯片与所述第二重新布线层电连接，并能够通过所述第二重新布线层与第一电镀铜柱、第二电镀铜柱、第一重新布线层、第一存储芯片、第二存储芯片中的一个或多个电连接；

在第三存储芯片与所述第二重新布线层之间形成第一底填层。

7.如权利要求4所述的存储器三维封装方法，其特征在于，还包括：所述第四存储芯片与所述第一重新布线层电连接，并能够通过所述第一重新布线层与第一电镀铜柱、第二电镀铜柱、第二重新布线层、第一存储芯片、第二存储芯片中的一个或多个电连接；

在第四存储芯片与所述第一重新布线层之间形成第二底填层。

8.一种存储器三维封装结构，其特征在于，包括：

第一重新布线层，被配置为正反两面分别附连第一存储芯片和第四存储芯片；

第二重新布线层，被配置为正反两面分别附连第二存储芯片和第三存储芯片；

其中，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片附连在一起，并由塑封层包裹形成一个整体结构。

9.如权利要求8所述的存储器三维封装结构，其特征在于，还包括：

所述第一存储芯片的有源面面向所述第一重新布线层的第一面；

所述第二存储芯片的有源面面向所述第二重新布线层的第一面；

所述第三存储芯片的有源面面向所述第二重新布线层的第二面；

所述第四存储芯片的有源面面向所述第一重新布线层的第二面。

10.如权利要求8所述的存储器三维封装结构，其特征在于，还包括：

所述第一存储芯片、所述第二存储芯片、所述第三存储芯片及所述第四存储芯片占用的面积相同，且堆叠在不同布线层的同一位置；

所述第一重新布线层的面积大于所述第一存储芯片及所述第四存储芯片占用的面积；

所述第二重新布线层的面积大于所述第二存储芯片及所述第三存储芯片占用的面积。