[发明专利]一种低接触热阻压接型半导体器件结构、制造方法

权利要求书

1.一种低接触热阻压接型半导体器件结构，其特征在于：包括多个压接元件，相邻两个压接元件之间设有高热导率、电导率的填充层。

2.根据权利要求1所述的一种低接触热阻压接型半导体器件结构，其特征在于：所述填充层材料为液态金属热界面材料。

3.根据权利要求1所述的一种低接触热阻压接型半导体器件结构，其特征在于：所述压接元件为半导体芯片或钼片或集电极铜板或发射极铜板或弹簧元件或银垫片或水冷散热板。

4.一种低接触热阻压接型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，将液态金属热界面材料均匀喷涂在各压接元件表面；

第二步，将各压接元件按半导体器件结构组装并放置在固定夹具中；

第三步，采用步进式加压法对半导体器件进行封装。

5.根据权利要求4所述半导体器件的制造方法，其特征在于：所述步进式加压法包括如下步骤：

A、利用压接夹具在器件表面施加预压力，并将半导体器件在额定电流下加热至热稳态；

B、在步骤A的基础上，每次递增预压力，重复额定电流下的半导体器件加热过程，直至预压力达到最终设定的额定压力，完成半导体器件封装。

6.根据权利要求5所述半导体器件的制造方法，其特征在于：步骤A中，所述预压力为50％的额定压力。

7.根据权利要求5所述半导体器件的制造方法，其特征在于：步骤B中，每次按10％的额定压力递增预压力。