[发明专利]用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷、其制备方法及生瓷带

权利要求书

1.一种用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，包括陶瓷原料、有机溶剂、粘合剂、增塑剂和添加剂；

所述陶瓷原料包括以下重量份材料：100-120份氧化铝，0.2-3份碳酸钙，0.5-5份粘土，0.2-3份滑石粉，0.1-1份三氧化二铬，0.3-3份二氧化钛。

2.根据权利要求1所述的用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，包括112-124份原料、58-62份有机溶剂、9-9.6份粘合剂、4.4-5.2份增塑剂、0.2-1.8份添加剂。

3.根据权利要求1所述的用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，所述陶瓷原料包括110份氧化铝，1.5份碳酸钙，2.5份粘土，1.5份滑石粉，0.5份三氧化二铬，1.5份二氧化钛。

4.根据权利要求1所述的用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝纯度大于99.8％。

5.根据权利要求1所述的用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，所述添加剂选自二氧化硅、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化锶中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇或丙酮，所述粘合剂为聚乙烯醇，所述增塑剂为聚乙二醇或邻苯二甲酸二丁酯。

7.根据权利要求1所述的用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，所述三氧化二铬为纳米级三氧化二铬，所述滑石粉为煅烧纳米级滑石。

8.一种用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，将权利要求1-7任一所述用于半导体集成电路封装的黑色氧化铝陶瓷的浆料进行球磨。

9.一种用于半导体集成电路封装的生瓷带，其特征在于，由权利要求8所述的用于高密度封装外壳的氧化铝陶瓷的制备方法所制备的瓷浆料流延得到。

10.根据权利要求9所述的用于半导体集成电路封装的生瓷带，其特征在于，流延过程中，浆料的粘度为5000cp-10000cp。