[发明专利]一种超疏水自清洁辐射自降温材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超疏水自清洁辐射自降温材料的制备方法，其特征在于：

S1、把聚偏氟乙烯共六氟丙烯和疏水二氧化硅共混于混合溶剂中得到P(VDF-HFP)/SiO₂复合悬浮液；

S2、向S1得到的复合悬浮液中逐滴加入非溶剂使P(VDF-HFP)/SiO₂发生相分离形成半透明的溶胶；

S3、将S2得到的溶胶浇铸于培养皿中室温干燥，获得具有微纳双阶多孔结构的复合材料；

所述S1中，制备的P(VDF-HFP)/SiO₂悬浮液步骤为：称取一定质量的P(VDF-HFP)溶解于混合溶剂中，待P(VDF-HFP)完全溶解后，再往其中加入一定质量分数的SiO₂并搅拌均匀；混合溶剂为丙酮和乙醇，且所述P(VDF-HFP)/SiO₂制备中，P(VDF-HFP)占丙酮的质量分数为7%~11%，乙醇占丙酮的质量分数为1%~6%，SiO₂占丙酮的质量分数为0.2%~1%；

步骤S2中，非溶剂为水，加入方式为控制滴加速度为每5s逐滴加入0.06 g水，形成溶胶；所述水占丙酮的质量分数为8%~13%。

2.根据权利要求1所述一种超疏水自清洁辐射自降温材料的制备方法，其特征在于，在S3中，将溶胶倾倒于培养皿后，在室温下干燥4-6 h。

3.根据权利要求1所述一种超疏水自清洁辐射自降温材料的制备方法，其特征在于，所述混合溶剂、非溶剂挥发过程中产生的微纳双阶多孔结构对太阳光的平均反射率大于90%，在大气透明窗口的平均发射率大于90%，其表面与水滴接触角大于150°。