[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202110063559.9 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112909100B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 何键华;杨文奕;杜伟;王硕 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 伍传松 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,由依次叠加的如下组件组成:
电池本体,所述电池本体为单结砷化镓太阳能电池片或多结砷化镓太阳能电池片;
P型接触层,所述P型接触层远离所述电池本体一侧表面,设置有沟槽;所述沟槽,形状为等腰三角形,底角为15°~30°;
背绝缘层,所述背绝缘层设置于所述沟槽内;
背金属层,所述背金属层上设有与所述沟槽相匹配的齿;
所述太阳能电池的制备方法,包括以下步骤;
S1.在衬底上依次设置牺牲层、外延层和所述P型接触层;
S2.在所述P型接触层表面设置所述沟槽;
S3.在所述沟槽内设置所述背绝缘层;所述设置,方法为蒸镀、离子体增强化学的气相沉积、原子层沉积中的一种;
S4.在步骤S3所得部件,远离所述衬底一侧表面,设置所述背金属层;
S5.去除所述牺牲层和所述衬底,并将所得部件远离所述外延层一侧表面,与临时衬底结合;
S6.在所述外延层一侧表面设置正面电极,在所述外延层一侧表面所述正面电极之外的位置设置减反膜层,所述正面电极、减反膜层与所述外延层构成所述电池本体;
S7.去除所述临时衬底、退火,即得所述太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背绝缘层,材质为二氧化硅和氧化铝中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背绝缘层,厚度为50nm~200nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背金属层,为铜层、银层、金层和镍层中的一种或多种形成的复合层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背金属层,厚度为5μm~30μm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,步骤S1中,所述设置,方法为外延生长。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,步骤S2中,所述设置,方法为刻蚀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山德华芯片技术有限公司,未经中山德华芯片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110063559.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的